屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制造方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制造方法。屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的制造方法包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成沟槽；其中，所述半导体衬底的上表面设置有第一绝缘层，所述沟槽由所述半导体衬底和所述第一绝缘层围合而成；在所述沟槽底部形成屏蔽导体；在所述屏蔽导体上形成栅极导体，所述栅极导体的上表面与所述第一绝缘层的上表面齐平；去除所述第一绝缘层，所述栅极导体的上表面高出所述半导体衬底的上表面。与现有技术相比，本发明专利技术实施例减小了屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的栅极电阻。

【技术实现步骤摘要】
屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制造方法
本专利技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制造方法。
技术介绍
随着半导体技术的发展，金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，MOSFET)作为电子电路的重要组成部分，广泛应用于汽车电子、通信设备、家用电器等领域。在现有技术中，屏蔽栅沟槽(ShieldGateTrench，SGT)型MOSFET器件，简称SGTMOSFET，因其比导通电阻较低和栅漏耦合电容较小而得到广泛的应用。SGTMOSFET器件包括形成于沟槽中的屏蔽导体和栅极导体，屏蔽导体位于沟槽的底部，栅极导体位于沟槽的顶部。其中，SGTMOSFET器件的栅极电阻Rg的大小取决于栅极导体的横截面积，且由于栅极导体的横截面积位于沟槽内的深度较浅、横截面积较小，因此，现有的SGTMOSFET器件存在栅极电阻Rg较大的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制造方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的制造方法，其特征在于，包括：/n提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成沟槽；其中，所述半导体衬底的上表面设置有第一绝缘层，所述沟槽由所述半导体衬底和所述第一绝缘层围合而成；/n在所述沟槽底部形成屏蔽导体；/n在所述屏蔽导体上形成栅极导体，所述栅极导体的上表面与所述第一绝缘层的上表面齐平；/n去除所述第一绝缘层，所述栅极导体的上表面高出所述半导体衬底的上表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成沟槽；其中，所述半导体衬底的上表面设置有第一绝缘层，所述沟槽由所述半导体衬底和所述第一绝缘层围合而成；
在所述沟槽底部形成屏蔽导体；
在所述屏蔽导体上形成栅极导体，所述栅极导体的上表面与所述第一绝缘层的上表面齐平；
去除所述第一绝缘层，所述栅极导体的上表面高出所述半导体衬底的上表面。


2.根据权利要求1所述的屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度与所述栅极导体的厚度比值大于0.1。


3.根据权利要求2所述的屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度范围为


4.根据权利要求1所述的屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的制造方法，其特征在于，在所述沟槽底部形成屏蔽导体之前，还包括：
在所述沟槽侧壁上形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成第三绝缘层，且所述第三绝缘层和所述第二绝缘层的材料不同；
在所述第三绝缘层上形成第四绝缘层。


5.根据权利要求4所述的屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述第四绝缘层和所述第二绝缘层的材料相同；
其中，所述第一绝缘层的材料为二氧化硅；所述第二绝缘层的材料为二氧化硅；所述第三绝缘层的材料为氮化硅；所述第四绝缘层的材料为二氧化硅。


6.根据权利要求4所述的屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的制造方法，其特征在于，在...

【专利技术属性】
技术研发人员：李豪，张杰，胡舜涛，潘晓伟，
申请(专利权)人：上海陆芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31