一种薄膜晶体管、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种薄膜晶体管、显示装置，涉及显示技术领域，可同时提高薄膜晶体管的迁移率和开关比。一种薄膜晶体管，包括设置在衬底上的栅极、包括碳纳米管的有源图案、辅助栅极、源极和漏极，所述辅助栅极与所述漏极电连接；所述有源图案包括沿第一方向延伸且间隔设置的多个条形子图案；沿所述第一方向，所述有源图案中的每个所述条形子图案中的一端与所述源极相接触、另一端与所述漏极相接触。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管、显示装置。
技术介绍
近年来，用户对高品质的显示面板的需求逐渐提高，进而对薄膜晶体管(Thin-filmtransistor，简称TFT)的要求也越来越高。目前常用低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon，简称LTPS)或氧化物半导体作为有源层的材料。然而，以低温多晶硅作用有源层的材料的TFT，存在均一性差、难以实现大尺寸的问题。以氧化物半导体作为有源层的材料的TFT，存在迁移率低的问题。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种薄膜晶体管、显示装置，可同时提高薄膜晶体管的迁移率和开关比。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：第一方面，提供一种薄膜晶体管，包括设置在衬底上的栅极、包括碳纳米管的有源图案、辅助栅极、源极和漏极，所述辅助栅极与所述漏极电连接；所述有源图案包括沿第一方向延伸且间隔设置的多个条形子图案；沿所述第一方向，所述有源图案中的每个所述条形子图案中的一端与所述源极相接触、另一端与所述漏极相本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括设置在衬底上的栅极、包括碳纳米管的有源图案、辅助栅极、源极和漏极，所述辅助栅极与所述漏极电连接；/n所述有源图案包括沿第一方向延伸且间隔设置的多个条形子图案；沿所述第一方向，所述有源图案中的每个所述条形子图案中的一端与所述源极相接触、另一端与所述漏极相接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括设置在衬底上的栅极、包括碳纳米管的有源图案、辅助栅极、源极和漏极，所述辅助栅极与所述漏极电连接；
所述有源图案包括沿第一方向延伸且间隔设置的多个条形子图案；沿所述第一方向，所述有源图案中的每个所述条形子图案中的一端与所述源极相接触、另一端与所述漏极相接触。


2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述辅助栅极与所述栅极同层设置，且所述辅助栅极的材料与所述栅极的材料相同。


3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述辅助栅极在所述衬底上的正投影与所述漏极在所述衬底上的正投影重叠。


4.根据权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括设置于所述衬底上的绝缘层，所述绝缘层包括多个条形的凹槽；
所述凹槽与所述条形子图案一一对应，且所述凹槽在所述衬底上的正投影与所述条形子图案在所述衬底上的正投影完全重叠；
所述条形子图案位于与其对应的所述凹槽中，和/或，所述条形子图案背离所述衬底的表面与所述衬底之间的距离大于所述绝缘层背离所述衬底的表面与所述衬底之间的距离。


5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述条形子图案填充于所述凹槽中；
所述条形子图案靠近所述衬底一侧的表面和与其对应的所述凹槽的底面平齐。


6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述凹槽贯通所述绝缘层；
每个所述凹槽中填充有修饰图案；所述有源图案设置于所述修饰图案背离所述衬底一侧；所述修饰图案与所述条形子图案一一对应且直接接触，所述修饰图案在所述衬底上的正投影和与其对应的所述条形子图案在所述衬底上正投影完全重叠；
其中，所述修饰图案的材料不与所述绝缘层的材料发生化学反应。


7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，
所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管；所述绝缘层设置于所述有源图案靠近所述衬底一侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁广才，郭康，董学，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11