半导体装置制造方法及图纸

本公开实施例提供半导体装置与其形成方法。在一实施例中，半导体装置包括鳍状物自基板延伸；栅极结构位于通道区上；第一间隔物，沿着栅极结构的下侧部分的侧壁延伸；以及第二间隔物，沿着栅极结构的上侧部分的侧壁延伸。鳍状物包括通道区以及与通道区相邻的源极/漏极区。栅极结构包括上侧部分与下侧部分。第二间隔物位于第一间隔物的上表面上。第一间隔物的组成为一第一介电材料，第二间隔物的组成为第二介电材料，且第一介电材料与第二介电材料不同。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术实施例涉及半导体装置结构与其形成方法，更特别涉及高效能的半导体装置结构与其形成方法。
技术介绍
电子产业对更小且更快的电子装置的需求持续增加，而电子装置可同时支援大量复杂功能。综上所述，半导体产业的持续趋势为制作低成本、高效能、与低能耗的集成电路。这些目标的实现方式主要为缩小半导体集成电路尺寸(如最小结构尺寸)，以改善产能并降低相关成本。然而尺寸缩小亦增加半导体工艺的复杂度。为实现半导体集成电路与装置的持续进展，半导体工艺与技术亦须类似进展。近来导入多栅极装置以增加栅极-通道耦合、降低关闭状态电流、并减少短通道效应，以改善栅极控制。多栅极装置之一为鳍状场效晶体管。鳍状场效晶体管的名称来自由基板延伸并形成于基板上的鳍状结构，其可用于形成场效晶体管通道。鳍状场效晶体管可与现有的互补式金属氧化物半导体工艺相容，其三维结构在大幅减少尺寸时可维持栅极控制并缓解短通道效应。即使导入鳍状场效晶体管，大幅缩小的集成电路尺寸造成寄生电容增加(比如鳍状场效晶体管的栅极与源极/漏极区或源极/漏极接点之间的寄生电容)。寄生电容会劣化装置效本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n一鳍状物，自一基板延伸，且该鳍状物包括一通道区以及与该通道区相邻的一源极/漏极区；/n一栅极结构，位于该通道区上，且该栅极结构包括一上侧部分与一下侧部分；/n一第一间隔物，沿着该栅极结构的该下侧部分的侧壁延伸；以及/n一第二间隔物，沿着该栅极结构的该上侧部分的侧壁延伸，/n其中该第二间隔物位于该第一间隔物的上表面上，/n其中该第一间隔物的组成为一第一介电材料，该第二间隔物的组成为一第二介电材料，且该第一介电材料与该第二介电材料不同。/n

【技术特征摘要】
20190424 US 16/392,7691.一种半导体装置，包括：
一鳍状物，自一基板延伸，且该鳍状物包括一通道区以及与该通道区相邻的一源极/漏极区；
一栅极结构，位于该通道区上，且该栅极结构包括一上侧部分与一下侧部分；
...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖忠志，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71