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本公开实施例提供半导体装置与其形成方法。在一实施例中，半导体装置包括鳍状物自基板延伸；栅极结构位于通道区上；第一间隔物，沿着栅极结构的下侧部分的侧壁延伸；以及第二间隔物，沿着栅极结构的上侧部分的侧壁延伸。鳍状物包括通道区以及与通道区相邻的源...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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