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本发明实施例公开了一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制造方法。屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的制造方法包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成沟槽；其中，所述半导体衬底的上表面设置有第一绝缘层，所述沟槽由所述半导体衬底和所述第一绝缘层...
该专利属于上海陆芯电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海陆芯电子科技有限公司授权不得商用。

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