一种金属氧化物-场效应晶体管功率器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种金属‑氧化物场效应晶体管功率器件及其制备方法，其中，该器件包括：衬底；外延层，外延层位于衬底的一侧，外延层远离衬底的一侧设置有漂移区和体区；第一极性晶体外延层，第一极性晶体外延层包括至少两种子外延层，在垂直于衬底指向外延层的方向上，相邻设置的两子外延层的相对表面属于不同的晶面族的晶面；第一极性晶体外延层的导电类型和体区的导电类型相反；栅极结构，栅极结构位于外延层远离衬底的一侧；源极，源极位于外延层远离衬底的一侧，覆盖部分第一有源区；漏极，漏极位于衬底远离外延层的一侧。本发明专利技术实施例提供的技术方案有效降低了金属‑氧化物场效应晶体管功率器件的导通电阻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种金属氧化物-场效应晶体管功率器件及其制备方法。

技术介绍

1、和硅基金属-氧化物场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field effecttransistor，mosfet)相比，第三代半导体mosfet器件具有耐高压、耐高温以及功耗低等优势，在智能电网和新能源汽车等行业具有巨大的应用潜力。

2、第三代半导体mosfet器件以sic mosfet器件和gan场效应晶体管(field effecttransistor，fet)/gan高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistors，hemt)器件为代表，但目前第三代半导体mosfet器件的导通电阻难以满足要求，有效降低第三代半导体mosfet器件的导通电阻是功率器件工程师在设计阶段需要考虑的主要问题。

技术实现思路

1、本专利技术提供了一种金属氧化物-场效应晶体管功率器件及其制备方法，以降低mosfet功率器件的导通电阻。</p>

2、第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种金属-氧化物场效应晶体管功率器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的金属-氧化物场效应晶体管功率器件，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的金属-氧化物场效应晶体管功率器件，其特征在于，所述金属-氧化物场效应晶体管功率器件包括平面型结构、单沟槽型结构以及双沟槽型结构中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的金属-氧化物场效应晶体管功率器件，其特征在于，所述金属-氧化物场效应晶体管功率器件包括平面型结构；

5.根据权利要求1-4任一所述的金属-氧化物场效应晶体管功率器件，其特征在于，所述衬底包括碳化硅衬底，所述外延层包括碳化硅...

【技术特征摘要】

1.一种金属-氧化物场效应晶体管功率器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的金属-氧化物场效应晶体管功率器件，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的金属-氧化物场效应晶体管功率器件，其特征在于，所述金属-氧化物场效应晶体管功率器件包括平面型结构、单沟槽型结构以及双沟槽型结构中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的金属-氧化物场效应晶体管功率器件，其特征在于，所述金属-氧化物场效应晶体管功率器件包括平面型结构；

5.根据权利要求1-4任一所述的金属-氧化物场效应晶体管功率器件，其特征在于，所述衬底包括碳化硅衬底，所述外延层包括碳化硅外延层，所述子外延层包括碳化硅子外延层；

6.根据权利要求5所述的金属-氧化物场效应晶体管功率器件，其特征在于，在垂直于所述衬底指向所述外延层的方向，相邻两子外延层的相对表面分别属于{0001}晶面族和{0338}晶面族中的晶面。

7.根据权利要求6所述的金属-氧化物场效应...

【专利技术属性】
技术研发人员：林青，吴昌林，张杰，
申请(专利权)人：上海陆芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：