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本发明涉及具有横向蜿蜒栅极的场效应晶体管，揭示场效应晶体管的结构以及形成场效应晶体管的方法。第一栅极电极具有连续设置的多个第一片段，以定义第一非直线链。第二栅极电极邻近该第一栅极电极设置。该第二栅极电极包括连续设置的多个第二片段，以定义第二...
该专利属于格芯公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯公司授权不得商用。

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