一种光罩层数削减的工艺方法技术

本发明专利技术提出一种光罩层数削减的工艺方法，包括下列步骤：提供一半导体衬底，并在其上涂布光刻胶；进行第一道光刻工艺处理；进行第一道离子注入处理；进行化学喷淋处理；进行第二道离子注入处理。本发明专利技术提出的光罩层数削减的工艺方法，将当前业界采用等离子轰击的工艺更改为化学喷淋处理，在化学喷淋完成后，再进行下一道离子注入层，从而同样达到消减一层光刻层的成本消减。本专利的工艺方法与现有的等离子体轰击光刻层数削减方法相比，具有不改变光刻胶厚度，关键尺寸均匀性好，图形边缘粗糙度(LER,Line Edge Roughness)较好，对晶圆表面无损伤的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种光罩层数削减的工艺方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，且特别涉及一种光罩层数削减的工艺方法。
技术介绍
在芯片制造业中，光刻层数的多少是衡量成本的一个主要指标，当前在一些图形比较相似的光刻离子注入层次上业界采用一道光刻图形完成离子注入工序后，通过等离子体轰击(Descum)的方式对于图形进行处理，在等离子轰击的工艺完成后直接进行下一道离子注入层，从而达到消减一层光刻层的成本消减。如图1a～图1e所示为传统工艺不进行光刻层数削减的基本工艺流程，图2a～图2d为业界当前存在的一种光刻层数削减的工艺流程，其都为在半导体衬底10上设置有光刻胶20，如图2a～图2d所示，当前的光刻层数削减主要使用等离子体轰击(Asher机台的Descum工艺)，将工艺的关键尺寸从第一道光刻工艺的目标值加工到第二道光刻工艺的目标值。因为该工艺因为会消耗光刻胶，所以需要第一道光刻层的厚度必须增加，众所周知，光刻胶厚度越厚，光刻的工艺窗口越小，且因为Descum工艺速率较快，对于图形形貌控制不佳，关键尺寸(CD)的均匀性也比不做光刻层数消减的传统工艺要差。
技术实现思路
本专利技术提出一种光罩层数削减的工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光罩层数削减的工艺方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一半导体衬底，并在其上涂布光刻胶；进行第一道光刻工艺处理；进行第一道离子注入处理；进行化学喷淋处理；进行第二道离子注入处理。

【技术特征摘要】
1.一种光罩层数削减的工艺方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一半导体衬底，并在其上涂布光刻胶；进行第一道光刻工艺处理；进行第一道离子注入处理；进行化学喷淋处理；进行第二道离子注入处理。2.根据权利要求1所述的光罩层数削减的工艺方法，其特征在于，所述化学喷淋处理步骤包括涂布光刻胶剥离材料，随后进行烘烤处理，接着进行显影处理后剥离反...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓龙，陈力钧，郑海昌，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31