温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提出一种光罩层数削减的工艺方法，包括下列步骤：提供一半导体衬底，并在其上涂布光刻胶；进行第一道光刻工艺处理；进行第一道离子注入处理；进行化学喷淋处理；进行第二道离子注入处理。本发明提出的光罩层数削减的工艺方法，将当前业界采用等离子轰击...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。