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本发明适用于半导体技术领域，提供了一种多栅指电极的电子束光刻方法及多栅指电极。多栅指电极的电子束光刻方法包括：在基片表面涂覆电子束光刻胶；根据版图图形对涂覆电子束光刻胶后的基片进行电子束曝光处理；其中，所述版图图形包括连接臂图形、多个并排排...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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