【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管。
技术介绍
平面显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示装置主要包括液晶显示装置(LCD)及有机发光二极管显示装置(OLED)。薄膜晶体管(TFT)是平面显示装置的重要组成部分。TFT可以形成在玻璃基板或塑料基板上，通常作为开关部件和驱动部件用在诸如LCD、OLED等平面显示装置上。氧化物半导体TFT技术是当前的热门技术，由于氧化物半导体具有较高的电子迁移率和开态电流，被广泛应用到TFT中。目前常用的氧化物半导体TFT为单栅极氧化物半导体TFT，但是随着对TFT的开态电流、占用空间、工艺流程的要求进一步提高，也即要求开态电流大、占空空间小、工艺流程简单，单栅极氧化物半导体TFT已经不能满足需要。因此，如何以相对简单的工艺来实现开态电流小、占用空间小的氧化物TFT已经成为亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管，能够以相对简单的工艺来实现开态电流大、占用空间小的...
【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供一基板，在所述基板上形成半导体有源层，其中，所述半导体有源层包括交错设置的多个第一有源区和多个第二有源区；在所述半导体有源层上形成介电层，其中，所述介电层设置在外侧的两个所述第一有源区之间；在所述半导体有源层和所述介电层上形成电极层，其中，所述电极层包括间隔设置的两个第一电极、一个第二电极和一个第三电极，两个所述第一电极设置在所述介电层上并分别与两个所述第二有源区对应设置，所述第二电极和所述第三电极设置在所述介电层之外的两个所述第一有源区上；其中，所述第一有源区不同于所述第二有源区，所述第一有源区是经导体化后的所述第一有源区。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供一基板，在所述基板上形成半导体有源层，其中，所述半导体有源层包括交错设置的多个第一有源区和多个第二有源区；在所述半导体有源层上形成介电层，其中，所述介电层设置在外侧的两个所述第一有源区之间；在所述半导体有源层和所述介电层上形成电极层，其中，所述电极层包括间隔设置的两个第一电极、一个第二电极和一个第三电极，两个所述第一电极设置在所述介电层上并分别与两个所述第二有源区对应设置，所述第二电极和所述第三电极设置在所述介电层之外的两个所述第一有源区上；其中，所述第一有源区不同于所述第二有源区，所述第一有源区是经导体化后的所述第一有源区。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述基板上形成半导体有源层的步骤之前，所述方法进一步包括：在所述基板上形成缓冲层，其中，所述缓冲覆盖所述基板。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述基板上形成半导体有源层的步骤包括：在所述基板上沉积半导体材料层；在所述半导体材料层上沉积第一光阻材料层；采用第一道光罩对所述第一光阻材料层进行曝光、显影，得到间隔设置的第一光阻块和第二光阻块，其中，所述第一光阻块和所述第二光阻块分别与两个所述第二有源区对应设置；对未被所述第一光阻块和所述第二光阻块覆盖的半导体材料层进行导体化，得到所述半导体有源层；剥离所述第一光阻块和所述第二光阻块。4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，对未被所述第一光阻块和所述第二光阻块覆盖的半导体材料层进行导体化的步骤包括：通过等离子体轰击法对未被所述第一光阻块和所述第二光阻块覆盖的半导体材料层进行导体化。5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述半导体有源层上形成介电层的步骤包括：在所述半导体有源层上沉积绝缘材料层；在所述绝缘材料层上沉积第二光阻材料层；采用第二道光罩对所述第二光阻材料层进行曝光、显影，得到第三光阻块，其中，所述第三光阻块覆盖两个...
【专利技术属性】
技术研发人员：夏慧，谭志威，陈书志，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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