【技术实现步骤摘要】
半导体装置以及制造方法
本申请涉及半导体
，特别涉及一种半导体装置以及制造方法。
技术介绍
随着MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)器件的尺寸逐渐减小，短沟道效应(theshortchanneleffect，简称为SCE)成为一个关键问题。FINFET(FinFieldEffectTransistor，鳍片式场效应晶体管)器件对沟道电荷显示出比较好的栅极控制能力，从而可以进一步缩小CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，互补金属氧化物半导体)器件的尺寸。目前，为了防止FinFET器件的源极和漏极穿通，需要向半导体鳍片执行抗穿通注入(theanti-punchthroughimplantation)，以在源极和漏极下方形成抗穿通区域。但是，现有的在源漏区下方的抗穿通注入有可能会增大漏电流和寄生电容，降低器件性能。
技术实现思路
本申请的专利技术人发现，现有的在源漏区下方的抗穿通注入有可能会增大漏电流和寄生电容，降低器件性能。...
【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括：衬底，在所述衬底上的半导体鳍片，以及在所述半导体鳍片上的伪栅极结构；所述伪栅极结构包括：在所述半导体鳍片表面上的伪栅极电介质层和在所述伪栅极电介质层上的伪栅极；在所述半导体结构上形成层间电介质层；对形成所述层间电介质层之后的半导体结构执行平坦化，以露出所述伪栅极的上表面；以及经由所述伪栅极对所述半导体鳍片执行第一掺杂，以在所述半导体鳍片中形成抗穿通区域。
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括：衬底，在所述衬底上的半导体鳍片，以及在所述半导体鳍片上的伪栅极结构；所述伪栅极结构包括：在所述半导体鳍片表面上的伪栅极电介质层和在所述伪栅极电介质层上的伪栅极；在所述半导体结构上形成层间电介质层；对形成所述层间电介质层之后的半导体结构执行平坦化，以露出所述伪栅极的上表面；以及经由所述伪栅极对所述半导体鳍片执行第一掺杂，以在所述半导体鳍片中形成抗穿通区域。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一掺杂为离子注入工艺。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述半导体鳍片的导电类型为P型，所述离子注入工艺的掺杂物为P型掺杂物，注入能量为20KeV至70KeV，注入剂量为1.0×1013atom/cm2至5.0×1014atom/cm2。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述半导体鳍片的导电类型为N型，所述离子注入工艺的掺杂物为N型掺杂物，注入能量为130KeV至250KeV，注入剂量为1.0×1013atom/cm2至3.0×1014atom/cm2。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在执行所述第一掺杂之前，所述方法还包括：刻蚀所述伪栅极以对所述伪栅极进行减薄处理。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述半导体鳍片的导电类型为P型，所述离子注入工艺的掺杂物为P型掺杂物，注入能量为16KeV至50KeV，注入剂量为1.0×1013atom/cm2至5.0×1014atom/cm2。7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述半导体鳍片的导电类型为N型，所述离子注入工艺的掺杂物为N型掺杂物，注入能量为110KeV至200KeV，注入剂量为1.0×1013atom/cm2至3.0×1014atom/cm2。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在执行所述第一掺杂之后，所述方法还包括：对所述半导体结构执行退火处理。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述退火处理包括：尖峰退火或激光退火。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述尖峰退火的温度范围为850℃至1000℃；或者，所述激光退火的温度范围为1000℃至1200℃。11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述层间电介质层之前，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：周飞，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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