非易失性存储器装置及其操作方法制造方法及图纸

一种非易失性存储器装置，包含：第一浮接栅极元件、第二浮接栅极元件以及选择栅极元件。第一浮接栅极元件包含栅极，并配置以根据读取电位、控制电位以及栅极的电性状态产生读取电流。第二浮接栅极元件与第一浮接栅极元件共用栅极，并配置以根据写入电位以及控制电位判定栅极的电性状态。选择栅极元件电性耦接于第一浮接栅极元件以及第二浮接栅极元件，并配置以根据字符驱动电位以及源极驱动电位产生控制电位。借此，可将非易失性存储器装置的读取与写入分别由不同的元件执行，将可减少对于氧化层的损坏，并提升元件的可靠度。

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器装置及其操作方法
本专利技术涉及存储器技术，且特别涉及一种非易失性存储器装置及其操作方法。
技术介绍
近年来由于集成芯片系统的单芯片化，存储器必须与系统整合成单一芯片。栅极氧化层厚度将随着工艺的微缩而缩小。常见的非易失性存储器装置的读取和写入是采用单一晶体管执行。由于读取和写入均需要对同一元件施加电压，容易对于较薄的栅极氧化层造成损害，因而降低元件的可靠度。因此，如何设计一个新的非易失性存储器装置及其操作方法，以解决上述的缺失，乃为此一业界亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种非易失性存储器装置，包含：第一浮接栅极(floatinggate，浮动栅极)元件、第二浮接栅极元件以及选择栅极元件。第一浮接栅极元件包含栅极，并配置以根据读取电位、控制电位以及栅极的电性状态产生读取电流。第二浮接栅极元件与第一浮接栅极元件共用栅极，并配置以根据写入电位以及控制电位决定栅极的电性状态。选择栅极元件电性耦接于第一浮接栅极元件以及第二浮接栅极元件，并配置以根据字符驱动电位以及源极驱动电位产生控制电位。在一实施例中，该第一浮接栅极元件包含一第一源/漏极以及一第二源/漏极，并配置以于该第一源/漏极接收该读取电位以及于该第二源/漏极接收该控制电位，且根据该读取电位、该控制电位以及该电性状态产生该读取电流至该第一源/漏极；以及该第二浮接栅极元件包含一第三源/漏极以及一第四源/漏极，配置以于该第三源/漏极接收该写入电位以及于该第四源/漏极接收该控制电位。在一实施例中，该选择栅极元件包含电性耦接于该第二源/漏极以及该第四源/漏极的一第五源/漏极、一第六源/漏极以及一选择栅极，该选择栅极元件配置以于该选择栅极接收该字符驱动电位以及该第六源/漏极接收该源极驱动电位时产生该控制电位。在一实施例中，该第一源/漏极电性耦接于一位元线，该第三源/漏极电性耦接于一写入线，该选择栅极电性耦接于一字符线，且该第六源/漏极电性耦接于一源极线。在一实施例中，非易失性存储器装置还包含：一抹除栅极元件，电性耦接至该第一浮接栅极元件与该第二浮接栅极元件的该栅极，配置以依据一抹除电位线的一抹除电位而抹除该第一浮接栅极元件与该第二浮接栅极元件中的该电性状态。本专利技术的另一目的在于提供一种非易失性存储器装置，包含：第一浮接栅极元件、第二浮接栅极元件、第一选择栅极元件、第三浮接栅极元件、第四浮接栅极元件以及第二选择栅极元件。第一浮接栅极元件包含第一栅极，并配置以根据第一读取电位、第一控制电位以及第一栅极的第一电性状态产生第一读取电流。第二浮接栅极元件与第一浮接栅极元件共用第一栅极，并配置以根据第一写入电位以及第一控制电位决定第一栅极的第一电性状态。第一选择栅极元件电性耦接于第一浮接栅极元件以及第二浮接栅极元件，并配置以根据字符驱动电位以及源极驱动电位产生控制电位。第三浮接栅极元件包含第二栅极，并配置以根据第二读取电位、第二控制电位以及第二栅极的第二电性状态产生第二读取电流。第四浮接栅极元件与第三浮接栅极元件共用第二栅极，并配置以根据第二写入电位以及第二控制电位决定第二栅极的第二电性状态。第二选择栅极元件电性耦接于第三浮接栅极元件以及第四浮接栅极元件，并配置以根据字符驱动电位以及源极驱动电位产生控制电位。在一实施例中，非易失性存储器装置还包含：还包含：一第一抹除栅极元件，电性耦接至该第一浮接栅极元件与该第二浮接栅极元件的该第一栅极，配置以依据一抹除电位线的一抹除电位而抹除该第一浮接栅极元件与该第二浮接栅极元件中的该第一电性状态；以及一第二抹除栅极元件，电性耦接至该第三浮接栅极元件与该第四浮接栅极元件的该第二栅极，配置以依据该抹除电位线的该抹除电位而抹除该第三浮接栅极元件与该第四浮接栅极元件中的该第二电性状态。本专利技术的又一目的在于提供一种非易失性存储器装置操作方法，包含：使选择栅极元件根据字符驱动电位以及源极驱动电位产生控制电位；使包含栅极的第一浮接栅极元件根据读取电位、控制电位以及栅极的电性状态产生读取电流；使选择栅极元件根据字符驱动电位以及源极驱动电位产生控制电位；使与第一浮接栅极元件共用栅极的第二浮接栅极元件根据写入电位以及控制电位决定栅极的电性状态。在一实施例中，该第一浮接栅极元件包含一第一源/漏极以及一第二源/漏极，该第二浮接栅极元件包含一第三源/漏极以及一第四源/漏极，该非易失性存储器装置操作方法还包含：使第一浮接栅极元件于该第一源/漏极接收该读取电位以及于该第二源/漏极接收该控制电位，且根据该读取电位、该控制电位以及该电性状态产生该读取电流至该第一源/漏极；以及使该第二浮接栅极元件于该第三源/漏极接收该写入电位以及于该第四源/漏极接收该控制电位。在一实施例中，该选择栅极元件包含电性耦接于该第二源/漏极以及该第四源/漏极的一第五源/漏极、一第六源/漏极以及一选择栅极，该非易失性存储器装置操作方法还包含：使该选择栅极元件于该选择栅极接收该字符驱动电位以及于该第六源/漏极接收该源极驱动电位时产生该控制电位。在一实施例中，还包含：使电性耦接至该第一浮接栅极元件与该第二浮接栅极元件的该栅极的一抹除栅极元件，依据一抹除电位线的一抹除电位而抹除该第一浮接栅极元件与该第二浮接栅极元件中的电性状态。应用本专利技术的优点在于将非易失性存储器装置的读取与写入分别由不同的元件执行，将可减少对于氧化层的损坏，并可相应地提升元件的可靠度。附图说明图1A为本专利技术一实施例中，一种非易失性存储器装置的电路图；图1B为本专利技术一实施例中，非易失性存储器装置的布局图；图1C为本专利技术一实施例中，图1B的非易失性存储器装置沿A方向视角的立体图；图2A为本专利技术一实施例中，一种非易失性存储器装置的电路图；图2B为本专利技术一实施例中，非易失性存储器装置的布局图；以及图3为本专利技术一实施例中，一种非易失性存储器装置操作方法的流程图。附图标记说明：1：非易失性存储器装置100：浮接栅极元件102：浮接栅极元件104：选择栅极元件106：抹除栅极元件110、120：主动区20、22：非易失性存储器装置200、210：第一浮接栅极元件202、212：第二浮接栅极元件204、214：选择栅极元件206、216：抹除栅极元件300：非易失性存储器装置操301-304：步骤作方法具体实施方式请同时参照图1A、图1B及图1C。图1A为本专利技术一实施例中，一种非易失性存储器装置1的电路图。图1B为本专利技术一实施例中，非易失性存储器装置1的布局图。图1C为本专利技术一实施例中，图1B的非易失性存储器装置1沿A方向视角的立体图。非易失性存储器装置1包含：浮接栅极元件100、浮接栅极元件102以及选择栅极元件104。浮接栅极元件100包含栅极G11、源/漏极SD11以及源/漏极SD12，并在图1B及图1C中对应于标记为100的虚线框。浮接栅极元件102包含栅极G21、源/漏极SD21以及源/漏极SD22，并在图1B及图1C中对应于标记为102的虚线框。如图1B所示，非易失性存储器装置1包含以点状图样示出的主动区(activeregion)110，浮接栅极元件100的源/漏极SD11、SD12以及浮接栅极元件102的源/漏极SD21、SD22形成于主动区110。于本实施例中，浮接栅极元件100的栅极G11以及浮本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非易失性存储器装置，其特征在于，包含：一第一浮接栅极元件，包含一栅极，并配置以根据一读取电位、一控制电位以及该栅极的一电性状态产生一读取电流；一第二浮接栅极元件，与该第一浮接栅极元件共用该栅极，并配置以根据一写入电位以及该控制电位决定该栅极的该电性状态；以及一选择栅极元件，电性耦接于该第一浮接栅极元件以及该第二浮接栅极元件，并配置以根据一字符驱动电位以及一源极驱动电位产生该控制电位。

【技术特征摘要】
2017.05.01 TW 1061144141.一种非易失性存储器装置，其特征在于，包含：一第一浮接栅极元件，包含一栅极，并配置以根据一读取电位、一控制电位以及该栅极的一电性状态产生一读取电流；一第二浮接栅极元件，与该第一浮接栅极元件共用该栅极，并配置以根据一写入电位以及该控制电位决定该栅极的该电性状态；以及一选择栅极元件，电性耦接于该第一浮接栅极元件以及该第二浮接栅极元件，并配置以根据一字符驱动电位以及一源极驱动电位产生该控制电位。2.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其特征在于，该第一浮接栅极元件包含一第一源/漏极以及一第二源/漏极，并配置以于该第一源/漏极接收该读取电位以及于该第二源/漏极接收该控制电位，且根据该读取电位、该控制电位以及该电性状态产生该读取电流至该第一源/漏极；以及该第二浮接栅极元件包含一第三源/漏极以及一第四源/漏极，配置以于该第三源/漏极接收该写入电位以及于该第四源/漏极接收该控制电位。3.如权利要求2所述的非易失性存储器装置，其特征在于，该选择栅极元件包含电性耦接于该第二源/漏极以及该第四源/漏极的一第五源/漏极、一第六源/漏极以及一选择栅极，该选择栅极元件配置以于该选择栅极接收该字符驱动电位以及该第六源/漏极接收该源极驱动电位时产生该控制电位。4.如权利要求3所述的非易失性存储器装置，其特征在于，该第一源/漏极电性耦接于一位元线，该第三源/漏极电性耦接于一写入线，该选择栅极电性耦接于一字符线，且该第六源/漏极电性耦接于一源极线。5.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其特征在于，还包含：一抹除栅极元件，电性耦接至该第一浮接栅极元件与该第二浮接栅极元件的该栅极，配置以依据一抹除电位线的一抹除电位而抹除该第一浮接栅极元件与该第二浮接栅极元件中的该电性状态。6.一种非易失性存储器装置，其特征在于，包含：一第一浮接栅极元件，包含一第一栅极，并配置以根据一第一读取电位、一第一控制电位以及该第一栅极的一第一电性状态产生一第一读取电流；一第二浮接栅极元件，与该第一浮接栅极元件共用该第一栅极，并配置以根据一第一写入电位以及该第一控制电位决定该第一栅极的该第一电性状态；一第一选择栅极元件，电性耦接于该第一浮接栅极元件以及该第二浮接栅极元件，并配置以根据一字符驱动电位以及一源极驱动电位产生该控制电位；一第三浮接栅极元件，包含一第二栅极，并配置以根据一第二读取电位、一第二控制电位以及该第二栅极的一第二电性状态...

【专利技术属性】
技术研发人员：林崇荣，金雅琴，
申请(专利权)人：卡比科技有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71