非易失性存储器装置制造方法及图纸

一种非易失性存储器装置，包括：浮接栅极元件、控制耦合元件、抹除耦合元件及选择栅极元件。浮接栅极元件包含浮接栅极层。控制耦合元件接收控制电位以耦合控制电位至浮接栅极层，以使浮接栅极元件根据控制电位、字元选择电位及位元选择电位进行读取或写入。抹除耦合元件接收抹除电位以耦合抹除电位至浮接栅极层，以根据抹除电位进行抹除。选择栅极元件电性耦接于浮接栅极元件，根据字元驱动电位及源极驱动电位产生字元选择电位。本发明专利技术的非易失性存储器装置可减少对于浮接栅极元件的栅极氧化层的损坏，并提升元件的可靠度。

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器装置
本专利技术涉及存储器技术，且特别涉及一种非易失性存储器装置。
技术介绍
近年来由于集成芯片系统的单芯片化，存储器必须与系统整合成单一芯片。栅极氧化层厚度将随着制程的微缩而缩小。常见的非易失性存储器装置的读取和写入是采用单一晶体管执行。由于读取和写入均需要对同一元件施加电压，容易对于较薄的栅极氧化层造成损害，因而降低元件的可靠度。因此，如何设计一个新的非易失性存储器装置，以解决上述的缺失，这是本领域亟待解决的问题。
技术实现思路
本
技术实现思路
的一目的是在提供一种非易失性存储器装置，借此减少对于浮接栅极元件的栅极氧化层的损坏，并提升元件的可靠度。为达上述目的，本
技术实现思路
的一技术实施方式涉及一种非易失性存储器装置，包括：浮接栅极层(floatinggate)元件、控制耦合元件、抹除耦合元件以及选择栅极元件。浮接栅极元件包含浮接栅极层。控制耦合元件配置以接收控制电位以耦合控制电位至浮接栅极层，以使浮接栅极元件根据控制电位、字元选择电位以及位元选择电位进行读取或写入。抹除耦合元件配置以接收抹除电位以耦合抹除电位至浮接栅极层，以使浮接栅极元件根据抹除电位进行抹除。选择栅极元件电性耦接于浮接栅极元件，并配置以根据字元驱动电位以及源极驱动电位产生字元选择电位。于一实施例中，浮接栅极元件根据控制电位、字元选择电位、位元选择电位以及浮接栅极层的电性状态进行读取，从而产生读取电流。于一实施例中，浮接栅极元件根据控制电位、字元选择电位以及位元选择电位进行写入，以决定浮接栅极层的电性状态。本专利技术的另一技术实施方式涉及一种非易失性存储器装置，包括：浮接栅极元件、控制耦合元件、抹除耦合元件以及选择栅极元件。浮接栅极元件包含栅极氧化层以及覆盖第一氧化层上的浮接栅极层。控制耦合元件包含第一井区(wellregion)、位于第一井区中的第一布植区以及第一氧化层，其中浮接栅极层延伸以覆盖第一氧化层，且控制耦合元件通过第一布植区接收控制电位，以通过第一井区以及第一氧化层耦合至浮接栅极层，以使浮接栅极元件根据控制电位、字元选择电位以及位元选择电位进行读取或写入。抹除耦合元件包含第二井区、位于第二井区中的第二布植区以及第二氧化层，其中浮接栅极层延伸以覆盖第二氧化层，且抹除耦合元件通过第二布植区接收抹除电位，以通过第二井区以及第二氧化层耦合至浮接栅极层，以使浮接栅极元件根据抹除电位进行抹除。选择栅极元件电性耦接于浮接栅极元件，并配置以根据字元驱动电位以及源极驱动电位产生字元选择电位。于一实施例中，浮接栅极元件还包含第一源/漏极以及第二源/漏极，浮接栅极元件配置以于第一源/漏极接收位元选择电位，并于第二源/漏极接收字元选择电位。于一实施例中，浮接栅极元件根据控制电位、字元选择电位、位元选择电位以及浮接栅极层的电性状态进行读取，从而产生读取电流。于一实施例中，选择栅极元件包含电性耦接于第二源/漏极的第三源/漏极、第四源/漏极以及选择栅极，选择栅极元件配置以于选择栅极接收字元驱动电位以及第四源/漏极接收源极驱动电位时产生字元选择电位。于一实施例中，第一源/漏极电性耦接于位元线，选择栅极电性耦接于字元线，且第四源/漏极电性耦接于源极线，第一布植区电性耦接于控制线，第二布植区电性耦接于抹除线。于一实施例中，浮接栅极元件根据控制电位、字元选择电位以及位元选择电位进行写入，以决定浮接栅极层的电性状态。于一实施例中，浮接栅极层覆盖栅极氧化层的第一区块小于浮接栅极层覆盖第一氧化层的第二区块，浮接栅极层覆盖第二氧化层的第三区块小于第一区块。应用本专利技术的非易失性存储器装置的优点在于，通过将浮接栅极元件的读写和抹除分别由控制耦合元件以及抹除耦合元件执行，以将控制电位及抹除电位通过井区耦合的方式，通过独立的氧化层进行操作，将可减少对于浮接栅极元件的栅极氧化层的损坏，并可相应地提升元件的可靠度。附图说明图1A为本专利技术一实施例中，一种非易失性存储器装置1的电路图；图1B为本专利技术一实施例中，图1A的非易失性存储器装置的元件侧剖面图；图1C为本专利技术一实施例中，图1A的非易失性存储器装置的布局图；以及图2为本专利技术一实施例中，一种存储器阵列的电路图。附图标记说明：1：非易失性存储器装置100：浮接栅极元件102：控制耦合元件104：抹除耦合元件106：选择栅极元件110：基板112A-112C：主动区114：栅极氧化层116：浮接栅极层120、130：井区122、132：布植区124、134：氧化层140：栅极氧化层142：选择栅极层144：基极区2：存储器阵列200A-200D：非易失性存储器装置B：基极电位G11：栅极BL、BL1、BL2：位元线EG、EG1、EG2：抹除线G21：选择栅极PG、PG1、PG2：控制线I1：读取电流SL、SL1、SL2：源极线SD11、SD12、SD21、SD22：WL：字元线源/漏极具体实施方式请同时参照图1A、图1B及图1C。图1A为本专利技术一实施例中，一种非易失性存储器装置1的电路图。图1B为本专利技术一实施例中，图1A的非易失性存储器装置1的元件侧剖面图。图1C为本专利技术一实施例中，图1A的非易失性存储器装置1的布局图。于一实施例中，非易失性存储器装置1是形成于示出于图1B的基板110上。非易失性存储器装置1包括：浮接栅极元件100、控制耦合元件102、抹除耦合元件104以及选择栅极元件106。浮接栅极元件100在图1B及图1C中以标号为100的虚线框标记。浮接栅极元件100包含栅极G11、源/漏极SD11以及源/漏极SD12。源/漏极SD11、SD12形成于以点状区块示出的主动区112A中。于一实施例中，基板110为P型，而源/漏极SD11、SD12则分别为一N型布植区。于一实施例中，源/漏极SD11电性耦接于位元线BL。栅极G11包含栅极氧化层114以及浮接栅极层116。其中，浮接栅极层116覆盖于栅极氧化层114上，并在图1B和图1C中以斜线区块示出。于一实施例中，浮接栅极层116的材质为例如，但不限于多晶硅、金属或金属硅化物多晶硅。控制耦合元件102在图1B及图1C中以标号为102的虚线框标记。控制耦合元件102包含井区120、位于井区120中的布植区122以及氧化层124。井区120包括以点状区块示出的主动区112B。布植区122形成于主动区112B中，且氧化层124形成于布植区122旁的主动区112B上。于一实施例中，井区120以及布植区122分别为N型井区和N型布植区。并且，于一实施例中，布植区122电性耦接于控制线PG。抹除耦合元件104在图1B及图1C中以标号为104的虚线框标记。抹除耦合元件104包含井区130、位于井区130中的布植区132以及氧化层134。井区130包含以点状区块示出的主动区1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非易失性存储器装置，其特征在于，包括：/n一浮接栅极层元件，包含一浮接栅极层；/n一控制耦合元件，配置以接收一控制电位以耦合该控制电位至该浮接栅极层，以使该浮接栅极元件根据该控制电位、一字元选择电位以及一位元选择电位进行读取或写入；/n一抹除耦合元件，配置以接收一抹除电位以耦合该抹除电位至该浮接栅极层，以使该浮接栅极元件根据该抹除电位进行抹除；以及/n一选择栅极元件，电性耦接于该浮接栅极元件，并配置以根据一字元驱动电位以及一源极驱动电位产生该字元选择电位。/n

【技术特征摘要】
20180615 TW 1071208301.一种非易失性存储器装置，其特征在于，包括：
一浮接栅极层元件，包含一浮接栅极层；
一控制耦合元件，配置以接收一控制电位以耦合该控制电位至该浮接栅极层，以使该浮接栅极元件根据该控制电位、一字元选择电位以及一位元选择电位进行读取或写入；
一抹除耦合元件，配置以接收一抹除电位以耦合该抹除电位至该浮接栅极层，以使该浮接栅极元件根据该抹除电位进行抹除；以及
一选择栅极元件，电性耦接于该浮接栅极元件，并配置以根据一字元驱动电位以及一源极驱动电位产生该字元选择电位。


2.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其特征在于，该浮接栅极元件根据该控制电位、该字元选择电位、该位元选择电位以及该浮接栅极层的一电性状态进行读取，从而产生一读取电流。


3.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其特征在于，该浮接栅极元件根据该控制电位、该字元选择电位以及该位元选择电位进行写入，以决定该浮接栅极层的一电性状态。


4.一种非易失性存储器装置，其特征在于，包括：
一浮接栅极元件，包含一栅极氧化层以及覆盖该第一氧化层上的一浮接栅极层；
一控制耦合元件，包含一第一井区、位于该第一井区中的一第一布植区以及一第一氧化层，其中该浮接栅极层延伸以覆盖该第一氧化层，且该控制耦合元件通过该第一布植区接收一控制电位，以通过该第一井区以及该第一氧化层耦合至该浮接栅极层，以使该浮接栅极元件根据该控制电位以及一字元选择电位以及一位元选择电位进行读取或写入；
一抹除耦合元件，包含一第二井区、位于该第二井区中的一第二布植区以及一第二氧化层，其中该浮接栅极层延伸以覆盖该第二氧化层，且该抹除耦合元件通过该第二布植区接...

【专利技术属性】
技术研发人员：林媛宣，
申请(专利权)人：卡比科技有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;TW