非挥发性记忆体装置及其运作方法制造方法及图纸

一种非挥发性记忆体装置及其运作方法。非挥发性记忆体装置包含第一浮动栅极元件、第二浮动栅极元件、选择栅极元件以及比较器。第一浮动栅极元件依据第一位元信号与控制电位而产生第一电流。第二浮动栅极元件与第一浮动栅极元件并联，并依据第二位元信号与控制电位而产生第二电流。选择栅极元件连接第一浮动栅极元件与第二浮动栅极元件，并依据源极信号与字元信号而产生控制电位。比较器电性连接第一浮动栅极元件与第二浮动栅极元件，并比较第一电流与第二电流以产生数据存取状态信号。由于非挥发性记忆体装置为差动式架构，其可仅依据自身所产生的电流进行比较以判断数据存取状态，如此，非挥发性记忆体装置的面积与制造成本可以大幅地减少。

Non volatile memory device and its operation method

Non volatile memory device and its operation method. The nonvolatile memory device includes a first floating gate element, a second floating gate element, a selective gate element, and a comparator. The first floating gate element generates the first current according to the first bit signal and the control potential. The second floating gate element is connected with the first floating gate element in parallel, and generates second current according to the second bit signal and the control potential. The gate element is connected to the first floating gate element and the second floating gate element, and the control potential is generated according to the source signal and the character signal. The comparator is electrically connected to the first floating gate element and the second floating gate element, and compares the first current and the second current to produce the data access state signal. Due to the non volatile memory device is a differential structure, which can be only on the basis of current generated compared to determine the data access state, so, area and manufacturing cost of non volatile memory device can greatly reduce the.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种记忆体系统，特别是关于一种采用差动式架构的非挥发性记忆体装置及其运作方法。
技术介绍
随着数字技术的快速发展以及各种电子产品的推陈出新，针对记忆体元件于性能上的要求(如，高密度与快速储存)变得愈加严格。依据目前的集成芯片系统的制程趋势，记忆体通常须与集成芯片系统透过单芯片化技术整合为单一芯片以进行芯片系统的微缩。因此，记忆体元件相应地采用单一复晶硅栅极的方式以符合对于芯片系统微缩的需求。然而，随着芯片系统的微缩，记忆体元件的栅极氧化层的厚度也随之缩小，当栅极氧化层厚度过小时，记忆体元件将可能产生漏电(currentleakage)现象。另外，传统上为了判读记忆体元件的存取状态，通常会透过比较器进行记忆体元件的电位与参考电位的比较，从而判读记忆体的存取状态。然而，在芯片系统微缩而导致漏电增加的状态下，上述方式很可能会导致对于记忆体元件的存取状态错误地判读。再者，为了制造一个精准的参考电位，通常会需要额外的周边电路从而大幅地增加芯片系统的面积与制造成本。因此，如何在兼顾记忆体元件的存取状态的精准判读与制造成本降低的前提下，进行记忆体元件的设计是一大挑战。
技术实现思路
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【技术保护点】
一种非挥发性记忆体装置，其特征在于，包含：一第一浮动栅极元件，用以依据一第一位元信号与一控制电位而产生一第一电流；一第二浮动栅极元件，与该第一浮动栅极元件并联，并用以依据一第二位元信号与该控制电位而产生一第二电流；一选择栅极元件，连接至该第一浮动栅极元件与该第二浮动栅极元件，并用以依据一源极信号与一字元信号而产生该控制电位；以及一比较器，电性连接至该第一浮动栅极元件与该第二浮动栅极元件，用以比较该第一电流与该第二电流，据以产生一数据存取状态信号。

【技术特征摘要】
2016.03.28 TW 1051097021.一种非挥发性记忆体装置，其特征在于，包含：一第一浮动栅极元件，用以依据一第一位元信号与一控制电位而产生一第一电流；一第二浮动栅极元件，与该第一浮动栅极元件并联，并用以依据一第二位元信号与该控制电位而产生一第二电流；一选择栅极元件，连接至该第一浮动栅极元件与该第二浮动栅极元件，并用以依据一源极信号与一字元信号而产生该控制电位；以及一比较器，电性连接至该第一浮动栅极元件与该第二浮动栅极元件，用以比较该第一电流与该第二电流，据以产生一数据存取状态信号。2.根据权利要求1所述的非挥发性记忆体装置，其特征在于，该非挥发性记忆体装置还包含：一抹除栅极元件连接至该第一浮动栅极元件与该第二浮动栅极元件，用以依据一抹除信号而抹除该第一浮动栅极元件与该第二浮动栅极元件中的电性状态。3.根据权利要求1所述的非挥发性记忆体装置，其特征在于，该比较器依据该第一电流与该第二电流之间的差值，从而判断该第一浮动栅极元件与该第二浮动栅极元件中分别对应的电性状态，据以产生该数据存取状态信号。4.根据权利要求3所述的非挥发性记忆体装置，其特征在于，当该第一电流小于该第二电流时，判定该第一浮动栅极元件被触发；当该第一电流大于该第二电流时，判定该第二浮动栅极元件被触发；当该第一电流等于该第二电流时，判定该第一浮动栅极元件与该第二浮动栅极元件均未被触发。5.根据权利要求1所述的非挥发性记忆体装置，其特征在于，该选择栅极元件的一第一端用以接收该源极信号，该选择栅极元件的一第二端用以接收该字元信号，该选择栅极元件的一第三端电性连接至该第一浮动栅极元件的一
\t端与该第二浮动栅极元件的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：林崇荣，金雅琴，
申请(专利权)人：卡比科技有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71