一种快闪存储器及用于快闪存储器的电压反馈方法和电路技术

技术编号:14852829 阅读:95 留言:0更新日期:2017-03-18 19:55
本发明专利技术公开了一种快闪存储器及用于快闪存储器的电压反馈方法和电路。其中电压反馈方法包括以下步骤:检测所述电压调制器产生的施加于目标存储单元的电压值;判断所述电压调制器产生的施加于所述目标存储单元的电压值是否达到预设阈值;在施加于所述目标存储单元的电压值达到预设阈值时,向擦除/编程控制器发送反馈信号。本发明专利技术所述的一种快闪存储器及用于快闪存储器电压反馈方法和电路,在存储器中设置电压反馈电路,用于在产生高压的过程中实时检测高压值,当高压值达到预设阈值时立刻发送反馈信号给擦除/编程控制器,使擦除/编程控制器进行下一步操作,提高了快闪存储器的效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于存储
,尤其涉及一种快闪存储器及用于快闪存储器的电压反馈方法和电路
技术介绍
目前,快闪存储器已经逐渐应用于各种电子、数码、智能产品中,诸如便携式多媒体播放器、手机或笔记本计算机等,人们对快闪存储器的要求也越来越高,擦写质量好、擦写效率高的快闪存储器越来越抢手。快闪存储器的存储单元由双字线场效应管组成,即在在字线与硅衬底之间增加了一个浮置字线,写入数据的过程就是对浮置字线施加高压进行充电的过程。现有技术中提供了一种快闪存储器,图1为现有技术中快闪存储器的框图。如图1所示,该快闪存储器包括:擦除/编程控制器10、电压调制器11和存储阵列12,在擦除/编写过程中,擦除/编程控制器10选取相应的目标存储单元,擦除/编程控制器10给电压调制器11发送一个高压使能信号,使电压调制器11产生高压并施加在存储阵列12的目标存储单元上;存储阵列12由擦除/编程控制器10进行编程控制。在快闪存储器的擦写过程中,由于不同的芯片产生高压的时间不同,以及芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于快闪存储器的电压反馈方法,其特征在于,包括以下步骤:检测电压调制器产生的施加于目标存储单元的电压值;判断所述电压调制器产生的施加于所述目标存储单元的电压值是否达到预设阈值;在施加于所述目标存储单元的电压值达到预设阈值时,向擦除/编程控制器发送反馈信号。

【技术特征摘要】
1.一种用于快闪存储器的电压反馈方法,其特征在于,包括以下步骤:
检测电压调制器产生的施加于目标存储单元的电压值;
判断所述电压调制器产生的施加于所述目标存储单元的电压值是否达到预
设阈值;
在施加于所述目标存储单元的电压值达到预设阈值时,向擦除/编程控制器
发送反馈信号。
2.根据权利要求1所述的用于快闪存储器的电压反馈方法,其特征在于,
所述检测电压调制器产生的施加于目标存储单元的电压值之前还包括:
擦除/编程控制器向所述电压调制器发送高压使能信号,所述高压使能信号
用于指示电压调制器产生高电压并施加给所述目标存储单元。
3.根据权利要求1所述的用于快闪存储器的电压反馈方法,其特征在于,
所述检测电压调制器产生的施加于目标存储单元的电压值具体为:擦除/编程控
制器启动电压检测电路或由电压调制器接收到擦除/编程控制器发来的高压使
能信号后启动电压检测电路,以检测电压调制器产生的施加于目标存储单元的
电压值。
4.根据权利要求1所述的用于快闪存储器的电压反馈方法,其特征在于,
还包括以下步骤:在所述电压调制器产生的施加于目标存储单元的电压值低于
预设阈值时,继续检测所述电压调制器产生的施加于所述目标存储单元的电压
值。
5.根据权利要求1所述的用于快闪存储器的电压反馈方法,其特征在于,
所述检...

【专利技术属性】
技术研发人员:邓龙利刘铭张建军
申请(专利权)人:北京兆易创新科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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