溅射靶材和其制造方法以及溅射靶技术

本发明专利技术的溅射靶材包含选自In、Ga、Zn、Sn和Al中的至少一种的氧化物。该溅射靶材在表面不具有来自铁的面积为1000μm

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】溅射靶材和其制造方法以及溅射靶
本专利技术涉及溅射靶材和其制造方法。另外，本专利技术涉及具备该溅射靶材的溅射靶。
技术介绍
溅射法作为大面积、高精度地形成薄膜的制法是极为有效的，近年来对于液晶显示装置等显示设备正充分利用溅射法。然而，在最近的薄膜晶体管(以下也称为“TFT”)等半导体器件的
，以In-Ga-Zn复合氧化物(以下也称为“IGZO”)为代表的氧化物半导体取代非晶硅而备受注目，就形成IGZO薄膜来说也正充分利用溅射法。已知当在以IGZO为代表的氧化物半导体薄膜中混入Fe、Cu等特定过渡金属时会发生TFT特性的劣化。就算薄膜中的Fe、Cu的混入量为数ppm级别，其影响对氧化物半导体来说也是极大的。例如，就混入了Fe、Cu的薄膜半导体器件来说，与没有混入它们的薄膜半导体器件相比，TFT的各种特性之中的场效应迁移率有变低的倾向，ON/OFF比也有降低的倾向。这种不良被指出是对当今显示面板大面积化的很大阻碍因素，正要求尽早改善技术。因此，专利文献1提出了下述技术：就接合多个靶构件得到的分割溅射靶来说，通过在接合构件之间的间隙部分填充陶瓷材料等，由此防止来自基材的Cu的混入。专本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种溅射靶材，其是包含选自In、Ga、Zn、Sn和Al中的至少一种的氧化物的溅射靶材，其在表面不具有来自铁的面积为1000μm2以上的变色部，或者在表面具有来自铁的面积为1000μm2以上的变色部的情况下该变色部的比例为0.02个/1200cm2以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.28 JP 2016-0646411.一种溅射靶材，其是包含选自In、Ga、Zn、Sn和Al中的至少一种的氧化物的溅射靶材，其在表面不具有来自铁的面积为1000μm2以上的变色部，或者在表面具有来自铁的面积为1000μm2以上的变色部的情况下该变色部的比例为0.02个/1200cm2以下。2.一种溅射靶，其是具备权利要求1所述的溅射靶材和基材而成的。3.一种溅射靶，其是具备在表面不具有面积为1000μm2以上的变色部的权利要求1所述的溅射靶材和基材而成的。4.一种溅射靶的制造方法，其是包含选自In、Ga、Zn、Sn和Al中的至少一种的氧化物的溅射靶材的制造方法，其在所述溅射靶材的制造工序中包括至少一次磁选工序。5.根据权利要求4所述的溅射靶材的制造方法，其包括对所述溅射靶材的原料粉末进行磁选的工序。6.根据权利要求4所述的溅射靶材的制造方法，其包括制作包含所述氧化物的浆料的工序和对该浆料进行磁选的工序。7.根据权利要求4所述的溅...

【专利技术属性】
技术研发人员：寺村享祐，武内朋哉，
申请(专利权)人：三井金属矿业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP