半导体封装结构和其制造方法技术

一种半导体封装结构包含第一介电层、导电元件、第一电路结构、半导体裸片和封装体。所述第一介电层界定至少一个穿孔。所述导电元件安置于所述穿孔中并包含第一部分和第二部分。所述第一部分的第一表面与所述第一介电层的第一表面大体上共面，且所述第二部分的第一表面的一部分从所述第一介电层的所述第一表面凹入。所述第一电路结构安置于所述第一介电层上。所述半导体裸片电连接到所述第一电路结构。所述封装体覆盖所述半导体裸片。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构和其制造方法
本公开涉及一种半导体封装结构和一种制造方法，且更确切地说，涉及一种半导体封装结构，其包含表面共面的介电层和导电元件(conductiveelement)，和一种用于制造所述半导体封装结构的方法。
技术介绍
在半导体封装结构中，包含导电通孔(conductivevia)，用于在不同层之间的电气连接。形成导电通孔可包含在衬底上形成孔，并接着通过镀敷(plating)在所述孔中形成导电元件。但是，由于镀敷中使用的电解质的组成，导电元件容易形成凹坑(dimple)形状或突出(protrusion)形状。换句话说，导电元件的上表面不是平面的。因此，电路层可能无法适当地安置于导电通孔上或上方。导电元件的凹坑形状或突出形状不利地影响具有此导电通孔的衬底的利用性。
技术实现思路
在一些实施例中，根据一方面，一种半导体封装结构包含第一介电层、导电元件、第一电路结构、半导体裸片和封装体(encapsulant)。所述第一介电层界定至少一个穿孔。所述导电元件安置于所述穿孔中并包含第一部分和第二部分。所述第一部分的第一表面与所述第一介电层的第一表面大体上共面，且所述第二部分的第一表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装结构，其包括：第一介电层，其界定至少一个穿孔；导电元件，其安置于所述穿孔中并包含第一部分和第二部分，其中所述第一部分的第一表面与所述第一介电层的第一表面大体上共面，且所述第二部分的第一表面的一部分从所述第一介电层的所述第一表面凹入；第一电路结构，其安置于所述第一介电层上；半导体裸片，其电连接到所述第一电路结构；以及封装体，其覆盖所述半导体裸片。

【技术特征摘要】
2017.05.30 US 15/608,7331.一种半导体封装结构，其包括：第一介电层，其界定至少一个穿孔；导电元件，其安置于所述穿孔中并包含第一部分和第二部分，其中所述第一部分的第一表面与所述第一介电层的第一表面大体上共面，且所述第二部分的第一表面的一部分从所述第一介电层的所述第一表面凹入；第一电路结构，其安置于所述第一介电层上；半导体裸片，其电连接到所述第一电路结构；以及封装体，其覆盖所述半导体裸片。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其进一步包括第二介电层覆盖所述第一电路结构且至少安置于所述导电元件的所述第二部分上。3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述导电元件的所述第一部分位于所述穿孔的中心处。4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其中所述第二部分远离所述穿孔的所述中心且邻近于所述穿孔的侧壁，且所述第二部分包含凹入部分，其由所述第二部分的所述第一表面和所述穿孔的所述侧壁界定。5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述导电元件包含多个第二部分和多个第三部分，所述第三部分中的每一个的第一表面与所述第一部分的所述第一表面大体上共面，且所述第二部分和所述第三部分交替地排列于所述第一部分的外围表面上。6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第一部分远离所述穿孔的所述中心，所述第二部分邻近于所述穿孔的中心，且所述导电元件包含凹入部分，其由所述第二部分的所述第一表面界定。7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第二部分的所述第一表面与所述第一介电层的所述第一表面之间形成角度θ，且所述角度θ是0度到约15度。8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述导电元件的所述第二部分包含突出部分，其从所述第一介电层的所述第一表面突出。9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其中所述第二部分的所述第一表面与所述第一介电层的所述第一表面之间形成角度θ，所述突出部分具有最大厚度d，所述突出部分的邻近于所述穿孔的中心的内部边缘与所述穿孔的所述侧壁之间界定距离D，其中且d小于约5μm。10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其进一步包括第二电路结构，其在所述第一电路结构上方且电连接到所述第一电路结构。11.根据权利要求10所述的半导体封装结构，其中所述第二电路结构的一部分位于所述导电元件正上方。12.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第一电路结构的一部分安置于所述导电元件的所述第二部分上。13.一种半导体封装结构，其包括：第一介电层，其界定至少一个穿孔；导电元件，其安置于所述穿孔中并界定至少一个凹入部分；第一电路结构，其安置于所述第一介电层和所述导电元件上，其中所述第一电路结构包含第一部分，其与所述导电元件的所述凹入部分共形；半导体裸片，其电连接到所述第一电路结构；以及封装体，其覆盖所述半导体裸片。14.根据权利要求13所述的半导体封装结构，其中所述凹入部分由所述穿孔的侧壁和所述导电元件的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕文隆，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71