基板处理设备制造技术

公开了一种基板处理设备，其能够改善在基板上沉积的薄膜的均匀度，并且还能够自由地调整生产率，其中，所述基板处理设备可以包括：用于提供处理空间的处理室；基板支撑体，其可旋转地设置在所述处理空间中，用于支撑至少一个基板；面对所述基板支撑体的室盖，所述室盖用于覆盖所述处理室的上侧；以及，气体分配部分，用于将所述处理空间在空间上分隔为第一和第二反应空间，并且在相应的第一和第二反应空间中引发不同种类的沉积反应，其中，在所述气体分配部分设置在所述室盖中。

Substrate processing equipment

A substrate processing device capable of improving uniformity of film deposited on a substrate and freely adjusting productivity is disclosed, wherein the substrate processing device may include: a processing chamber for providing processing space; a substrate support, which may be rotatably arranged in the processing space for supporting Supporting at least one substrate; facing the chamber cover of the substrate support, the chamber cover is used to cover the upper side of the processing chamber; and, the gas distribution portion is used to spatially separate the processing space into the first and second reaction spaces, and to induce different kinds of deposition in the corresponding first and second reaction spaces. The gas distribution part is arranged in the chamber cover.

【技术实现步骤摘要】
基板处理设备本案是分案申请，其母案为于2014年7月23日提交的题为“基板处理设备”、申请号为201480043656.X的申请。
本专利技术涉及一种执行用于处理基板的工艺的基板处理设备。
技术介绍
通常，为了制造太阳能电池、半导体装置和平板显示装置，需要在基板的表面上形成预定的薄膜层、薄膜电路图案或光学图案。因此，可以执行半导体制造工艺，例如，在基板上沉积预定材料的薄膜的薄膜沉积工艺(thinfilmdepositionprocess)、通过使用光敏材料来选择性地曝光薄膜的照像工艺(photoprocess)和通过选择性地去除薄膜的曝光部分而形成图案的蚀刻工艺(etchingprocess)。可以使用化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)方法来在基板处理设备中执行半导体制造工艺的薄膜沉积工艺。通过下述方式来执行化学气相沉积(CVD)：分配(distributing)用于基板上的薄膜沉积的处理气体，并且通过化学气相反应来形成薄膜。化学气相沉积(CVD)有益的是，其可以由于与原子层沉积(ALD)相比较的薄膜沉积的快的速度而自由地调整生产率。然而，化学气相沉积(CVD)具有缺点，例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理设备，包括：处理室，所述处理室用于提供处理空间；基板支撑体，所述基板支撑体可旋转地设置在所述处理空间中，用于支撑至少一个基板；面对所述基板支撑体的室盖，所述室盖用于覆盖所述处理室的上侧；以及，气体分配部分，所述气体分配部分用于将所述处理空间在空间上分隔为第一反应空间和第二反应空间，并且在相应的第一反应空间和第二反应空间中引发不同种类的沉积反应，其中，所述气体分配部分设置在所述室盖中。

【技术特征摘要】
2013.07.31 KR 10-2013-00912521.一种基板处理设备，包括：处理室，所述处理室用于提供处理空间；基板支撑体，所述基板支撑体可旋转地设置在所述处理空间中，用于支撑至少一个基板；面对所述基板支撑体的室盖，所述室盖用于覆盖所述处理室的上侧；以及，气体分配部分，所述气体分配部分用于将所述处理空间在空间上分隔为第一反应空间和第二反应空间，并且在相应的第一反应空间和第二反应空间中引发不同种类的沉积反应，其中，所述气体分配部分设置在所述室盖中。2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，在所述第一反应空间中通过原子层吸附反应在所述基板上沉积薄膜，并且在所述第二反应空间中通过化学气相反应在所述基板上沉积薄膜。3.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述基板经由所述基板支撑体的旋转而通过所述第一反应空间和所述第二反应空间，并且根据从所述气体分配部分向所述第一反应空间和所述第二反应空间中的至少任何一个分配的气体的沉积反应，薄膜沉积在所述基板上。4.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中，所述气体分配部分包括：空间分隔部件，所述空间分隔部件用于将所述处理室的所述处理空间在空间上分隔为所述第一反应空间和所述第二反应空间；第一气体分配部件，所述第一气体分配部件用于向所述第一反应空间分配所述化学气相反应的处理气体；以及第二气体分配部件，所述第二气体分配部件用于向所述第二反应空间分配所述原子层吸附反应的处理气体。5.根据权利要求4所述的基板处理设备，其中，所述空间分隔部件通过向所述第一反应空间和所述第二反应空间之间的空间分配净化气体来形成气体障壁。6.根据权利要求4所述的基板处理设备，其中，所述空间分隔部件通过向所述第一反应空间和所述第二反应空间之间的空间分配净化气体来形成气体障壁，并且通过向所述第一反应空间局部分配净化气体来将所述第一反应空间分隔为至少一个第一气体反应区域和至少一个第二气体反应区域。7.根据权利要求6所述的基板处理设备，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭在燦，赵炳夏，黃喆周，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR