微型发光二极管晶片制造技术

本发明专利技术提供一种微型发光二极管晶片，包括磊晶结构、第一电极以及第二电极。磊晶结构具有第一型掺杂半导体层、发光层及第二型掺杂半导体层，且磊晶结构还具有上表面以及连接上表面的侧表面。第一电极设置于上表面且与第一型掺杂半导体层电性连接以提供第一型载子由上表面的至少一部分进入磊晶结构。第二电极位于侧表面且与第二型掺杂半导体层电性连接以提供第二型载子由侧表面的至少一部分进入磊晶结构。微型发光二极管晶片的对角线长度大于0且小于等于140微米。本发明专利技术提供的微型发光二极管晶片，其较易于制作且具有较大的发光面积比。

Micro LED chip

The invention provides a micro LED chip, which comprises an epitaxial structure, a first electrode and a second electrode. The epitaxial structure has the first doped semiconductor layer, the luminescent layer and the two type doped semiconductor layer, and the epitaxial structure also has the upper surface and the side surface connected to the upper surface. The first electrode is arranged on the upper surface and is electrically connected with the first doped semiconductor layer to provide the first type carrier to enter the epitaxial structure from at least a part of the upper surface. The second electrode is located on the side surface and is electrically connected with the second doped semiconductor layer to provide the second type carrier from the at least part of the side surface into the epitaxial structure. The diagonal length of the microstrip LED wafer is greater than 0 and is less than or equal to 140 microns. The micro light-emitting diode wafer provided by the invention is easier to manufacture and has a larger luminous area ratio.

【技术实现步骤摘要】
微型发光二极管晶片
本专利技术涉及一种发光二极管晶片，且特别涉及一种微型发光二极管晶片。
技术介绍
随着光电科技的进步，许多光电元件的体积逐渐往小型化发展。近几年来由于发光二极管(Light-EmittingDiode,LED)制作尺寸上的突破，目前将发光二极管以阵列排列制作的微型发光二极管(micro-LED)显示器在市场上逐渐受到重视。微型发光二极管显示器属于主动式发光元件显示器，其除了相较于有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)显示器而言更为省电以外，也具备更佳优异的对比度表现，而可以在阳光下具有可视性。此外，由于微型发光二极管显示器采用无机材料，因此其相较于有机发光二极管显示器而言具备更佳优良的可靠性以及更长的使用寿命。在一般水平式发光二极管晶片的结构中，连接N型掺杂半导体层与N型电极的方式通常是制作贯穿P型掺杂半导体层与发光层的多个孔洞，并且将N型电极通过这些孔洞与N型掺杂半导体层进行连接。然而，上述多个孔洞的制作方式通常适用于较大尺寸的发光二极管晶片，而不适合小尺寸的微型发光二极管晶片。原因在于小尺寸的微型发光二极管晶片其所对应的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微型发光二极管晶片，其特征在于，包括：磊晶结构，具有第一型掺杂半导体层、发光层及第二型掺杂半导体层，所述发光层位于所述第一型掺杂半导体层与所述第二型掺杂半导体层之间，其中所述磊晶结构还具有上表面以及连接所述上表面的侧表面；第一电极，设置于所述上表面且与所述第一型掺杂半导体层电性连接以提供第一型载子由所述上表面的至少一部分进入所述磊晶结构；以及第二电极，位于所述侧表面且与所述第二型掺杂半导体层电性连接以提供第二型载子由所述侧表面的至少一部分进入所述磊晶结构，其中所述微型发光二极管晶片的对角线长度大于0且小于等于140微米。

【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管晶片，其特征在于，包括：磊晶结构，具有第一型掺杂半导体层、发光层及第二型掺杂半导体层，所述发光层位于所述第一型掺杂半导体层与所述第二型掺杂半导体层之间，其中所述磊晶结构还具有上表面以及连接所述上表面的侧表面；第一电极，设置于所述上表面且与所述第一型掺杂半导体层电性连接以提供第一型载子由所述上表面的至少一部分进入所述磊晶结构；以及第二电极，位于所述侧表面且与所述第二型掺杂半导体层电性连接以提供第二型载子由所述侧表面的至少一部分进入所述磊晶结构，其中所述微型发光二极管晶片的对角线长度大于0且小于等于140微米。2.根据权利要求1所述的微型发光二极管晶片，其特征在于，所述第二电极的一部分位于所述上表面。3.根据权利要求1所述的微型发光二极管晶片，其特征在于，还包括绝缘层，配置于所述第一型掺杂半导体层与所述第二电极之间以及所述发光层与所述第二电极之间，所述绝缘层用以电性隔绝所述第一型掺杂半导体层与所述第二电极以及电性隔绝所述发光层与所述第二电极。4.根据权利要求3所述的微型发光二极管晶片，其特征在于，所述侧表面具有第一部分以及连接所述侧表面的所述第一部分的第二部分，所述侧表面的所述第一部分与所述上表面连接并与所述上表面夹设角度，所述侧表面的所述第二部分与所述上表面分别位于所述侧表面的所述第一部分的两侧且所述侧表面的所述第二部分由所述侧表面的所述第一部分延伸凸出，所述第二电极与所述侧表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖育弘，罗玉云，林子旸，
申请(专利权)人：英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛,KY