发光二极管制造技术

本实用新型专利技术涉及发光二极管，包括：n个(n为2以上的整数)发光单元，在基板上彼此平行地配置且为长矩形形状；第一电极焊盘，配置于第一发光单元上；第二电极焊盘，配置于第n发光单元上；第一延伸部、第二延伸部以及第三延伸部，配置于每一个发光单元；连接部，使发光单元彼此连接。发光单元分别包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层，分别具有通过第一导电型半导体层及活性层使第一导电型半导体层裸露的开口部，位于各发光单元上的第一延伸部包括沿发光单元的长度方向的长延伸部，且在各发光单元的开口部内连接于第一导电型半导体层，位于各发光单元上的第二延伸部与第三延伸部电连接于对应的发光单元的第二导电型半导体层。

light-emitting diode

The utility model relates to a light-emitting diode, including: n (N 2 or more integer) light emitting unit, arranged in parallel and long rectangular shape on a substrate; the first electrode welding disc is arranged on the first light emitting unit, and the second electrode pad is arranged on the n light emitting unit; the first extension, the second extension and the third are on the first light emitting unit. The extension part is arranged in each light emitting unit, and the connecting part causes the light emitting units to be connected to each other. The light emitting unit comprises a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer, respectively having an opening in the first conductive semiconductor layer through the first conducting semiconductor layer and the active layer, and the first extension on each light emitting unit including a long extension along the length direction of the luminous unit. The first conductive semiconductor layer is connected to the first conductive layer in the opening part of each light emitting unit, and the second extension part on each light emitting unit is electrically connected with the third extension part in the second conductive semiconductor layer of the corresponding light emitting unit.

【技术实现步骤摘要】
发光二极管
本技术涉及一种发光二极管，更为具体地涉及一种具有用于分散电流的电极延伸部的发光二极管。
技术介绍
氮化镓(GaN)系列发光二极管正在应用于天然色LED显示元件、LED交通信号机、白色LED等各种领域。氮化镓(GaN)系列发光二极管被应用于天然色LED显示元件、LED交通信号等、白色LED等各种领域。氮化镓系列发光二极管通常在蓝宝石等基板上生长外延层(epitaxiallayers)而形成，且包括n型半导体层、p型半导体层以及夹设于它们之间的活性层。此外，在n型半导体层上形成有n型电极焊盘，在p型半导体层上形成有p型电极焊盘。发光二极管通过如上所述的电极焊盘电连接于外部电源而被驱动。此时，电流从p型电极焊盘经过半导体层而向n型电极焊盘流动。通常，p型半导体层具有较高的电阻率，因此电流无法在p型半导体层内均匀地分散。因此，存在电流集中至形成有p型电极焊盘的部分或者电流并不向发光二极管的内部区域集中而是通过边角或者边缘向发光二极管的侧面集中的问题。这种电流集中现象使发光区域减小，最终降低发光效率。据此，使用一种通过在p型半导体层上形成电阻率较低的透明电极层而使电流分散的技术。从p型电极焊盘流入的电流在电阻率相对较低的透明电极层分散而流入p型半导体层，因此可以扩宽发光二极管的发光区域。但是，由于透明电极层吸收光，因此其厚度受限，由此，在分散电流方面受限。尤其是，具有约1mm以上大面积的发光二极管主要为了得到高功率而得以使用，然而在这种大面积的发光二极管上使用透明电极层的电流分散是有限的。另外，电流经过半导体层而流向n型电极焊盘，因此在n型半导体层电流较容易集中至形成有n型电极焊盘的部分。这意味着在半导体层内流动的电流集中至形成有n型电极焊盘的区域附近。因此，需要改善在n型半导体层内的电流的集中。
技术实现思路
本技术所要解决的课题是提供一种在缩小发光二极管的发光面积的减少的同时能够均匀地分散电流的发光二极管。本技术所要解决的另一课题是提供一种能够防止电流通过发光二极管的边角或者边缘而集中的发光二极管。本技术所要解决的又一课题是改善具有串联的多个发光单元的发光二极管的电流分散性能。根据本技术的一实施例的发光二极管，包括：基板，向一个方向具有长矩形形状；发光单元，包括位于所述基板上的第一导电型半导体层、位于所述第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层以及夹设于所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的活性层，且具有通过所述发光单元的第一导电型半导体层以及活性层使所述第一导电型半导体层裸露的开口部；第一电极焊盘，在所述开口部内配置于所述第一导电型半导体层上，与所述基板的其他边角相比，配置成更靠近所述基板的第一边角；第二电极焊盘，配置于所述第二导电型半导体层上，相对靠近与所述第一边角相面对的所述基板的第二边角而配置；第一延伸部，从所述第一电极焊盘延伸；以及第二延伸部以及第三延伸部，从所述第二电极焊盘向所述第一延伸部的两侧延伸。此外，所述开口部被所述第一导电型半导体层以及活性层包围，连接所述第二延伸部的端部与第三延伸部的端部的虚拟线位于所述第一电极焊盘与所述第一边角之间。优选地，各个所述第一延伸部包括曲线区段以及直线区段，各个所述曲线区段连接所述第一电极焊盘或者所述连接部与所述直线区段，所述直线区段向所述发光单元的相对长的长度方向延伸。优选地，所述第一延伸部的直线区段位于各个所述发光单元的纵向中心轴上，所述第一延伸部的曲线区段越远离所述第一电极焊盘或者所述连接部则越靠近所述发光单元的横向中心轴。优选地，从所述第一延伸部的直线区段至所述第二延伸部的最短距离与从所述第一延伸部的直线区段至第三延伸部的最短距离相同。优选地，从所述第一延伸部的端部至各发光单元的纵向中心轴与第三延伸部的交叉点的距离与从所述第一延伸部的直线区段至所述第二延伸部或者第三延伸部的最短距离相同，从所述第一延伸部的端部至所述第三延伸部的曲线区段的距离比所述最短距离更长。优选地，所述纵向中心轴与第三延伸部的交叉点位于直线区段上。优选地，所述连接部包括相对于所述发光单元的短轴方向倾斜的直线部。优选地，还包括覆盖所述各发光单元的的透明电极层，所述第二电极焊盘、所述第二延伸部以及第三延伸部配置于所述透明电极层上。优选地，发光二极管还包括：电流阻挡层，该电流阻挡层在所述第二电极焊盘、所述第二延伸部以及所述第三延伸部的下方被配置于所述透明电极层与所述发光单元之间。优选地，配置于所述第二电极焊盘下方的所述透明电极层包括开口部，所述第二电极焊盘的一部分通过所述开口部与所述第二导电型半导体层或者所述电流阻挡层接触。根据本技术的另一实施例的发光二极管包括：基板；n个(n为2以上的整数)发光单元，在所述基板上彼此平行地配置且为长矩形形状；第一电极焊盘，配置于第一发光单元上；第二电极焊盘，配置于第n发光单元上；第一延伸部、第二延伸部以及第三延伸部，配置于每一个所述发光单元；以及连接部，使所述发光单元彼此连接，其中，所述发光单元分别包括第一导电型半导体层、位于所述第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层以及夹设于所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的活性层，并且分别具有通过所述第二导电型半导体层以及活性层使所述第一导电型半导体层裸露的开口部，位于各发光单元上的所述第一延伸部包括沿着所述发光单元的长度方向的长延伸部，且在各发光单元的开口部内连接于第一导电型半导体层，位于各发光单元上的所述第二延伸部与第三延伸部电连接于对应的发光单元的第二导电型半导体层，并且从所述第二电极焊盘或者所述连接部向两侧延伸而配置成包围所述第一延伸部，所述连接部将相邻的发光单元的所述第一延伸部连接至所述第二延伸部及第三延伸部，所述连接部与第一电极焊盘、第二电极焊盘或者其他连接部对向而配置于对角线方向的边角附近。根据本技术的实施例，将第一电极焊盘及第二电极焊盘在基板的对角位置配置成彼此相对，缩小在基板的边角侧的不发光的区域，从而可以提高发光二极管的发光效率。另外，从发光单元的侧面隔开配置第一电极焊盘，从而可以防止电流集中至发光单元的侧面或者边角。另外，如本技术，通过配置第一电极焊盘及第二电极焊盘，在发光二极管封装件中较容易利用焊线(bondingwire)封装两个以上的发光二极管，可以使发光区域被焊线屏蔽的区段最小化，以使发光二极管封装件的光效率最大。此外，通过调整第一延伸部、第二延伸部以及第三延伸部的配置，可以使电流均匀地分散到发光单元的宽广的区域。此外，第一延伸部限定于第二延伸部与第三延伸部之间而配置，从而可以使用于形成第一延伸部的区域最小化，因此可以使发光区域的损失最小化。另外，在具有串联的多个发光单元的发光二极管中也可以使电流均匀地分散至各发光单元，因此可以改善发光效率。附图说明图1是显示根据本技术的第一实施例的发光二极管的平面图。图2是沿着图1的截取线I-I’截取的剖面图。图3a和图3b是显示根据本技术的第一实施例的发光二极管的第二电极焊盘的图。图4是用于说明根据本技术的第一实施例的发光二极管的发光区域以及延伸部的形状的图。图5是用于说明根据本技术的第一实施例的发光二极管的电极焊盘的配置的图。图6是显示利用根据本实用新本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：基板；n个发光单元，彼此平行地配置于所述基板上，且具有长矩形形状；第一电极焊盘，配置于第一发光单元上；第二电极焊盘，配置于第n发光单元上；第一延伸部、第二延伸部以及第三延伸部，配置于每一个所述发光单元；以及连接部，使发光单元彼此连接，其中，n是2以上的整数，所述发光单元分别包括第一导电型半导体层、位于所述第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层以及夹设于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性层，并且分别具有通过所述第二导电型半导体层以及活性层使所述第一导电型半导体层裸露的开口部，位于各发光单元上的所述第一延伸部包括沿着所述发光单元的长度方向的长延伸部，且在各发光单元的开口部内连接于第一导电型半导体层，位于各发光单元上的所述第二延伸部与第三延伸部电连接于对应的发光单元的第二导电型半导体层，并且从所述第二电极焊盘或者所述连接部向两侧延伸而配置成包围所述第一延伸部，所述连接部将相邻的发光单元的所述第一延伸部连接至所述第二延伸部及第三延伸部，在所述n为2的情况下，所述连接部沿对角方向与第一电极焊盘及第二电极焊盘对向而配置于边角附近，在所述n为3以上的情况下，所述连接部为n‑1个，各个连接部沿对角方向与第一电极焊盘、第二电极焊盘或相邻的另一连接部对向而配置于边角附近。...

【技术特征摘要】
2016.09.27 KR 10-2016-01239901.一种发光二极管，其特征在于，包括：基板；n个发光单元，彼此平行地配置于所述基板上，且具有长矩形形状；第一电极焊盘，配置于第一发光单元上；第二电极焊盘，配置于第n发光单元上；第一延伸部、第二延伸部以及第三延伸部，配置于每一个所述发光单元；以及连接部，使发光单元彼此连接，其中，n是2以上的整数，所述发光单元分别包括第一导电型半导体层、位于所述第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层以及夹设于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性层，并且分别具有通过所述第二导电型半导体层以及活性层使所述第一导电型半导体层裸露的开口部，位于各发光单元上的所述第一延伸部包括沿着所述发光单元的长度方向的长延伸部，且在各发光单元的开口部内连接于第一导电型半导体层，位于各发光单元上的所述第二延伸部与第三延伸部电连接于对应的发光单元的第二导电型半导体层，并且从所述第二电极焊盘或者所述连接部向两侧延伸而配置成包围所述第一延伸部，所述连接部将相邻的发光单元的所述第一延伸部连接至所述第二延伸部及第三延伸部，在所述n为2的情况下，所述连接部沿对角方向与第一电极焊盘及第二电极焊盘对向而配置于边角附近，在所述n为3以上的情况下，所述连接部为n-1个，各个连接部沿对角方向与第一电极焊盘、第二电极焊盘或相邻的另一连接部对向而配置于边角附近。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，各个所述第一延伸部包括曲线区段以及直线区段，各个所述曲线区段连接所述第一电极焊盘或者所述连接部与所述直线区段，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李锦珠，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国,KR