半导体发光结构及半导体封装结构制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体发光结构，包括一磊晶结构、一N型电极垫、一P型电极垫以及一绝缘层。N型电极垫与P型电极垫相间隔地设置于磊晶结构上，其中P型电极垫具有一第一上表面。绝缘层设置于磊晶结构上且位于N型电极垫与P型电极垫之间，其中绝缘层具有一第二上表面。P型电极垫的第一上表面与绝缘层的第二上表面共平面。

【技术实现步骤摘要】
半导体发光结构及半导体封装结构本专利技术专利申请是申请日为2014年10月9日，申请号为201410527562.1的名为“半导体发光结构及半导体封装结构”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种半导体发光结构及半导体封装结构，特别是涉及一种可有效强化磊晶结构的半导体发光结构及半导体封装结构。
技术介绍
目前，薄膜覆晶式发光二极管的制造方法是先在基板上形成磊晶结构，然后在磊晶结构上分别形成N型电极以及P型电极，而形成一半导体发光结构。进一步，将此半导体发光结构接合于承载座上，使得半导体发光结构的N型电极与P型电极分别电性连接于承载座的N型接合垫与P型接合垫。最后，再以雷射剥离技术移除基板，而形成薄膜覆晶式发光二极管。然而，由于磊晶结构为一薄层结构，在以雷射剥离技术移除基板时，磊晶结构经常会因受应力而破裂，使得薄膜覆晶式发光二极管的制造良率降低，进而增加制造成本。
技术实现思路
本专利技术提供一种可有效强化磊晶结构的半导体发光结构及半导体封装结构，以解决上述的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供的一种技术方案是：提供一种半导体发光结构包括一磊晶结构、一N型电极垫、一P型电极垫本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光结构，其特征在于，包括：一磊晶结构；一N型电极垫与一P型电极垫，相间隔地设置于所述磊晶结构上并分别与所述磊晶结构电性连接；一金属增高垫，设置于所述磊晶结构上并位于所述N型电极垫与所述P型电极垫之间；以及一绝缘层，设置于所述磊晶结构上且覆盖所述金属增高垫，所述绝缘层位于所述N型电极垫与所述磊晶结构之间及所述P型电极垫与所述磊晶结构之间之间；其中，所述N型电极垫的一上表面与所述P型电极垫的一上表面实质上共平面。

【技术特征摘要】
2013.12.20 TW 1021475641.一种半导体发光结构，其特征在于，包括：一磊晶结构；一N型电极垫与一P型电极垫，相间隔地设置于所述磊晶结构上并分别与所述磊晶结构电性连接；一金属增高垫，设置于所述磊晶结构上并位于所述N型电极垫与所述P型电极垫之间；以及一绝缘层，设置于所述磊晶结构上且覆盖所述金属增高垫，所述绝缘层位于所述N型电极垫与所述磊晶结构之间及所述P型电极垫与所述磊晶结构之间之间；其中，所述N型电极垫的一上表面与所述P型电极垫的一上表面实质上共平面。2.根据权利要求1所述的半导体发光结构，其特征在于，所述绝缘层的一上表面与所述P型电极垫的所述上表面实质上共平面。3.根据权利要求1所述的半导体发光结构，其特征在于，所述金属增高垫与所述N型电极垫和所述P型电极垫相间隔设置。4.根据权利要求1所述的半导体发光结构，其特征在于，所述金属增高垫与所述磊晶结构电性连接。5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴志凌，黄逸儒，罗玉云，黄靖恩，丁绍滢，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71