一种ITO牢固的LED芯片及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种ITO牢固的LED芯片及其制造方法，包括GaAs衬底一侧依次从下往上设置缓冲层、n‑AIGaInP限制层、MQW多量子阱有源层、p‑AIGaInP限制层和p‑GaP窗口层；p‑GaP窗口层上制作ITO薄膜层，ITO薄膜层上制作金属电极层，GaAs衬底另一侧设置n电极层；金属电极层一部分连接在p‑GaP窗口层上，一部分连接在ITO薄膜层上。本发明专利技术公开一种ITO牢固的LED芯片及其制造方法，金属电极层同时与ITO薄膜层和粗糙化的p‑GaP窗口层相连接，避免焊线测试时造成ITO薄膜层脱落，提高整个金属电极层的附着性和完整性，确保发光器件工作电压稳定，提高产品可靠性，提升产品质量和良率。

【技术实现步骤摘要】
一种ITO牢固的LED芯片及其制造方法
本专利技术属于半导体发光二极管
，具体涉及一种ITO牢固的LED芯片及其制造方法。
技术介绍
LED具有高光效、低能耗、长寿命、高安全性、高环保等优势，是一种有广阔应用前景的照明方式，受到越来越多国家的重视，目前LED已广泛应用于高效固态照明领域中，如显示屏、汽车用灯、背光源、交通信号灯、景观照明等。如附图1所示，由于常规AlGaInP发光二极管的出光层为GaP层，同时GaP层也起着欧姆接触层和电流扩展的重要作用，这就会使电流容易集中从与电极接触的正下方区域流过，即电极正下方区域的电流密度增加，不能使电流得到充分的扩展，降低LED发光效率。ITO薄膜相比GaP层具有良好的横向电流扩展性，同时具有透过率高、导电性好、耐磨损、耐腐蚀等优点，且与GaP层的粘附性好，因此，ITO薄膜通常被用于作为提高AlGaInP基芯片亮度的透明电极材料。在实际应用中，在GaP层上面生长一层ITO薄膜，然后再沉积金属电极层，作为焊盘材料使用，在对焊盘的焊线测试中发现很容易出现ITO层脱落、金属电极层脱落异常，导致其焊盘性能和芯片使用可靠性受到严重影响。专利技术内本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ITO牢固的LED芯片，其特征在于：包括在GaAs衬底(100)一侧依次从下往上设置缓冲层(101)、n‑AIGaInP限制层(102)、MQW多量子阱有源层(103)、p‑AIGaInP限制层(104)和p‑GaP窗口层(105)；所述p‑GaP窗口层(105)上制作ITO薄膜层(106)，所述ITO薄膜层(106)上制作金属电极层(107)，所述GaAs衬底(100)另一侧设置n电极层(201)；所述金属电极层(107)一部分连接在p‑GaP窗口层(105)上，一部分连接在ITO薄膜层(106)上。

【技术特征摘要】
1.一种ITO牢固的LED芯片，其特征在于：包括在GaAs衬底(100)一侧依次从下往上设置缓冲层(101)、n-AIGaInP限制层(102)、MQW多量子阱有源层(103)、p-AIGaInP限制层(104)和p-GaP窗口层(105)；所述p-GaP窗口层(105)上制作ITO薄膜层(106)，所述ITO薄膜层(106)上制作金属电极层(107)，所述GaAs衬底(100)另一侧设置n电极层(201)；所述金属电极层(107)一部分连接在p-GaP窗口层(105)上，一部分连接在ITO薄膜层(106)上。2.如权利要求1所述的一种ITO牢固的LED芯片，其特征在于：所述p-GaP窗口层(105)表层掺杂浓度大于体掺杂浓度，掺杂源为Mg。3.如权利要求1所述的一种ITO牢固的LED芯片，其特征在于：所述ITO薄膜层(106)为铟锡氧化物。4.如权利要求1所述的一种ITO牢固的LED芯片，其特征在于：所述ITO薄膜层(106)厚度为300nm。5.如权利要求1所述的一种ITO牢固的LED芯片，其特征在于：所述金属电极层(107)选自Cr、Pt、Ti、Al、Au或前述的任意组合之一。6.如权利要求1所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：白继锋，张银桥，潘彬，
申请(专利权)人：南昌凯迅光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江西,36