发光二极管制造技术

发光二极管，包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极，包括形成于所述第一半导体层之上，并与所述第一半导体层形成电性连接；第二电极，形成于所述第二半导体层之上，并与所述第二半导体层形成电性连接；所述第一电极具有焊盘部和扩展部，所述焊盘部的下方设有绝缘层，所述绝缘层具有至少两个块状结构，围绕所述焊盘区的中心区域分布，所述块状结构之间彼此分离。

light-emitting diode

A light-emitting diode, including a luminescent epitaxial layer, from top to bottom, comprises a first semiconductor layer, a light emitting layer and a second semiconductor layer. The first electrode is formed on the first semiconductor layer and forms an electrical connection with the first semiconductor layer, and the second electrode is formed above the second semiconductor layer, and the first semiconductor layer is formed on the second semiconductor layer, and An electrical connection is formed with the second semiconductor layer; the first electrode has a weld plate part and an extension part, and an insulating layer is provided below the welding disc. The insulating layer has at least two lumpy structures, and the bulk structures are separated from each other around the center area of the welding disk area.

【技术实现步骤摘要】
发光二极管
本技术涉及半导体元件，尤其是涉及一种发光二极管。
技术介绍
由于发光二极管具有寿命长、体积小、高耐震性、发热度小以及耗电量低等优点，发光二极管已被广泛地应用于家电产品以及各式仪器之指示灯或光源。早期的氮化镓LED芯片制作工艺通常由台面蚀刻(MESA)、制作透明导电层（例如ITO）、制作电极和制作保护层四道工艺组成，其形成的发光二极管芯片如图1所示，其一般包括衬底101、N型层111、发光层112、P型层113、透明导电层120、P电极141(焊盘143和扩展条144)、N电极142和保护层130。在氮化镓LED中，p-GaN由于其载流子迁移率较低，通常会在PAD底部造成一定的电流拥堵。因此，现在通常会在P型电极的底部增加电流阻挡层150，用于抑制电流的过注入，增加透明导电层的电流扩散，如图2所示。该芯片制作工艺通常至少包括台面蚀刻(MESA)、制作电流阻挡层、制作电流扩展层（例如ITO）、制作电极和制作保护层五道工艺。
技术实现思路
本技术提供了一种发光二极管，其在电极的焊盘部下方形成一环绕式分离的块状绝缘层，可以增电极焊盘表面的起伏，增强焊线的可靠性，焊球不易脱落或外力作用下不本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.发光二极管，包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极，包括形成于所述第一半导体层之上，并与所述第一半导体层形成电性连接；第二电极，形成于所述第二半导体层之上，并与所述第二半导体层形成电性连接；其特征在于：所述第一电极具有焊盘部和扩展部，所述焊盘部的下方设有绝缘层，所述绝缘层具有至少两个块状结构，围绕所述焊盘区的中心区域分布，所述块状结构之间彼此分离。

【技术特征摘要】
1.发光二极管，包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极，包括形成于所述第一半导体层之上，并与所述第一半导体层形成电性连接；第二电极，形成于所述第二半导体层之上，并与所述第二半导体层形成电性连接；其特征在于：所述第一电极具有焊盘部和扩展部，所述焊盘部的下方设有绝缘层，所述绝缘层具有至少两个块状结构，围绕所述焊盘区的中心区域分布，所述块状结构之间彼此分离。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述块状结构之间具有间隙，所述第一电极的焊盘部与所述扩展部之间的连接部位于所述间隙。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电极的焊盘部的部分下表面直接接触所述第一半导体层的表面。4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电极的焊盘部的上表面呈台阶状。5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：还包括保护层，其覆盖所述发光外延层的上表面，仅在所述第一电极和第二电极的下方形成一些开口作为导电通道。6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：王锋，詹宇，陈亭玉，林素慧，洪灵愿，许圣贤，彭康伟，张家宏，
申请(专利权)人：厦门市三安光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35