晶圆干燥方法技术

技术编号:18423125 阅读:497 留言:0更新日期:2018-07-12 01:06
本发明专利技术涉及一种晶圆干燥方法,包括:提供待干燥晶圆;对所述晶圆进行微波加热处理;对所述晶圆进行表面干燥处理。上述晶圆干燥方法可以提高晶圆干燥效率,减少水痕缺陷。

Wafer drying method

The invention relates to a wafer drying method, which includes: providing a dry wafer, heating the wafer by microwave heating, and drying the surface of the wafer. The wafer drying method can improve wafer drying efficiency and reduce water mark defects.

【技术实现步骤摘要】
晶圆干燥方法
本专利技术涉及半导体
,尤其涉及一种晶圆干燥方法。
技术介绍
在整个芯片制作过程中,几乎每道工序都涉及到清洗工艺。每道清洗工艺的最后晶圆都要经过干燥处理,这就使晶圆干燥处理成为清洗工艺最后也是最重要的一步。干燥处理不优化直接后果是产生水痕缺陷,对芯片的良率具有较大的影响。目前,对于干燥技术在类别上主要分为两大类:1.利用机械离心力的旋转干燥法(SpinDry);2.利用异丙醇的干燥法(IPADry)。1利用机械离心力的旋转干燥法(SpinDry):其原理是利用高速旋转下产生的离心力,并配合空气过滤器所喷下的干净气流,将芯片上的水滴旋干,对于沟渠(Deeptrench)中的水滴根据伯努力原理也会被吸出,蒸发干而无微粒及水痕。2利用异丙醇的干燥法(IPADry):将潮湿的芯片传至异丙醇(IPA)溢流去离子水(DIW)槽内。异丙醇(IPA)则由N2作为传输气体,把N2导入加热的IPA液体,使高挥发性的IPA产生气态IPA传入槽内。结合晶圆从溢流DIW槽内缓慢拉起的动作将使晶圆表面的IPA浓度高于液面,这样借由IPA浓度差水滴流入槽内,同时IPA高挥发性可将晶圆表面水份脱本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆干燥方法,其特征在于,包括:提供待干燥晶圆;对所述晶圆进行微波加热处理;对所述晶圆进行表面干燥处理。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆干燥方法,其特征在于,包括:提供待干燥晶圆;对所述晶圆进行微波加热处理;对所述晶圆进行表面干燥处理。2.根据权利要求1所述的晶圆干燥方法,其特征在于,所述表面干燥处理包括采用旋转干燥法或利用异丙醇的干燥法中的至少一种。3.根据权利要求1所述的晶圆干燥方法,其特征在于,在所述表面干燥处理之前进行微波加热处理。4.根据权利要求1所述的晶圆干燥方法,其特征在于,所述微波加热处理和表面干燥...

【专利技术属性】
技术研发人员:周颖邱宇航洪纪伦吴宗祐林宗贤
申请(专利权)人:德淮半导体有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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