晶圆清洗设备制造技术

本实用新型专利技术提供一种晶圆清洗设备，所述晶圆清洗设备包括：外罩，所述外罩表面设有若干个缺口；与所述缺口位置对应，用于封闭或者开放所述缺口的控制门。所述的晶圆清洗设备在缺口位置设置控制门，避免了采用化学试剂清洗时清洗液溅到去离子水喷嘴和氮气喷嘴表面，从而在用去离子水喷嘴和氮气喷嘴时，其表面残留的化学清洗液滴落导致的产品缺陷。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体制造工艺中的晶圆清洗设备。
技术介绍
目前，半导体制造工艺中，当晶圆经过蚀刻工艺后，表面一般会有杂质如聚合物等 残留，因此，需要通过晶圆清洗设备清洗去除晶圆表面的杂质。如附图l所示，现有的晶圆 清洗设备100通常包括圆桶形外罩116，晶圆承载台114，承载台转轴115，化学清洗液喷嘴 lll，去离子水喷嘴(未图示)以及氮气喷嘴110构造而成。所述晶圆承载台转轴115位于 所述晶圆承载台114中心正下方，用于带动所述晶圆承载台的转动。所述晶圆承载台114 位于所述圆形外罩116的内部中心，且所述晶圆承载台114的晶圆放置面的水平面低于所 述圆形外罩116上边沿的水平面。所述化学清洗液喷嘴111、所述去离子水喷嘴(未图示) 以及所述氮气喷嘴111都位于所述圆桶形外罩116的上方。所述圆桶形外罩116的上边沿 设有若干个缺口 112，易于所述化学清洗液喷嘴111、所述去离子水喷嘴(未图示)以及所述氮气喷嘴iio转动进出所述晶圆承载台正上方。 当需要清洗的晶圆113放置到晶圆承载台114后，由于晶圆承载台转轴115带动 晶圆承载台114旋转，使得整个晶圆113表面都能够被清洗到，直到清洗过程结束。所述的 清洗过程包括如下步骤首先化学清洗液喷嘴111通过对应的所述缺口 112移到晶圆113 正上方且在所述外罩116的上方，释放所需的清洗液进行清洗，清洗完毕后喷嘴111移出晶 圆正上方；下一步是将去离子水喷嘴自动移到晶圆正上方，将残留在晶圆表面的清洗液冲 洗干净，冲洗完毕后喷嘴自动移出晶圆正上方；最后一步就是将氮气喷嘴自动移到晶圆正 上方，将残留在晶圆表面的去离子水烘干，清洗过程结束。 在第一步清洗晶圆时，去离子水和氮气喷嘴位于所述外罩116的侧上方，而所述 化学清洗液喷嘴111位于所述圆桶形外罩116正上方释放化学清洗液。因为所述晶圆承载 台114一直处于高速旋转，使得所述晶圆113表面上大部分清洗液由于惯性飞溅到所述圆 桶形外罩116的内壁，由于所述圆桶形外罩116上边沿设置有若干缺口 112，少部分化学清 洗液则穿过所述缺口 112飞溅到喷嘴上，特别是当化学品清洗液溅到去离子水和氮气喷嘴 110时，在第二步冲洗和第三步烘干的过程中，由于去离子水和氮气喷嘴110上喷溅的清洗 液的存在，仍然有化学清洗液滴落到晶圆113表面，表面未清洗干净的晶圆113进入随后的 半导体制作工艺，使得产品良率降低。
技术实现思路
本技术解决的技术问题是由于现有的晶圆清洗设备的圆桶形外罩的多个缺 口导致采用化学清洗液清洗过程中清洗液通过缺口溅到喷嘴，导致晶圆无法清洗干净的缺 陷。 为了克服上述问题，本技术提供一种晶圆清洗设备，所述晶圆清洗设备包括 外罩，所述外罩表面设有若干个缺口 ；与所述缺口位置对应，用于封闭或者开放所述缺口的控制门。可选的，所述晶圆清洗设备还包括圆柱齿轮，用作控制门的转轴；齿轮环，具有内齿圈和外齿圈，所述圆柱齿轮位于所述齿轮环的内圈，并与该齿轮环的内齿圈相啮合；齿轮轴，位于所述齿轮环的外圈，并与该齿轮环的外齿圈相啮合。 可选的，所述齿轮轴上带有齿轮马达，用于带动所述齿轮轴转动。 可选的，所述齿轮环位于外罩的外侧，并且所述齿轮环的中心与该外罩的中心重合。 可选的，所述缺口或者控制门的数量为3-4个。由于采用了上述技术方案，与现有技术相比，本技术具有以下优点 1 、所述的晶圆清洗设备在缺口位置设置控制门，避免了采用化学试剂清洗时清洗液溅到去离子水喷嘴和氮气喷嘴表面，从而在用去离子水喷嘴和氮气喷嘴时，其表面残留的化学清洗液滴落导致的产品缺陷。 2、所述的晶圆清洗设备由于齿轮马达能带动所述齿轮轴转动，不仅能带动所述的 控制门的自动开闭。附图说明图1为现有晶圆清洗设备的结构示意图； 图2为本技术一实施例所提供的晶圆清洗设备的俯视图； 图3为本技术一实施例所提供的晶圆清洗设备的使用示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本技术提出的晶圆清洗设备作进一步详细说 明。根据下面的叙述，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简 化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。 本技术提供一种晶圆清洗设备，参考附图2以及附图3所示，所述晶圆清洗设 备包括外罩116，所述外罩116表面设有若干个缺口 112;与所述缺口 112位置对应，用于 封闭或者开放所述缺口的控制门212。可选的，所述缺口或者控制门的数量为3-4个。 如
技术介绍
所述，所述若干缺口用于清洗晶圆时喷嘴的进出，在所述缺口位置增 加所述控制门之后，在采用化学试剂清洗喷嘴时，可闭合所述控制门，保护去离子水喷嘴或 者氮气喷嘴被化学试剂污染，避免污染的离子水喷嘴或者氮气喷嘴在后续清洗晶圆时污染 晶圆，提高清洗的效果。 可选的，所述晶圆清洗设备还包括圆柱齿轮211，用作控制门的转轴，因此，其必定与所示控制门固定连接，如附图3中所示，位于外罩外圈与齿轮环内圈之间； 齿轮环213，所述的齿轮环213具有内齿圈和外齿圈，所述圆柱齿轮211位于所述齿轮环213的内圈，并与该齿轮环213的内齿圈相啮合，由于圆柱齿轮与所述齿轮环啮合，因此，可以互相带动旋转； 齿轮轴210，位于所述齿轮环213的外圈，并与该齿轮环213的外齿圈相啮合，可选 的，所述齿轮轴上带有齿轮马达，用于带动所述齿轮轴旋转，当所述齿轮轴211在齿轮马达 210的带动下转动时，转动的齿轮轴可带动齿轮环转动，齿轮环又可带动与其啮合的圆柱齿轮转动，最终带动所述的控制门打开或者闭合。 参考附图3所示，所述齿轮环位于外罩的外侧，并且所述齿轮环的中心与该外罩 的中心重合。 本说明书中，所述的内圈指与内侧壁对应的一侧，外圈指与外侧壁对应的一侧。 下面结合图2和图3，介绍本晶圆清洗装置的工作过程，当采用化学清洗剂进行清 洗时，齿轮马达210转动带动齿轮环213转动，而齿轮环213则带动齿轮轴211转动，控制 门由于对应的齿轮轴211转动而打开。化学清洗液喷嘴111从圆桶形外罩116的侧上方 转动经过对应的缺口 112到达该圆桶形外罩116的正上方，齿轮马达210转动带动齿轮环 213转动，而齿轮环213则带动齿轮轴211转动，控制门由于对应的齿轮轴211转动而控制 门212闭合。化学清洗液喷嘴111开始释放化学清洗液，避免了在所述晶圆承载台114的 旋转中，化学清洗液因为惯性通过所述若干个缺口 112溅射到所述氮气喷嘴110上。 化学清洗液释放完之后，控制门212打开，化学清洗液喷嘴111转动经过对应的缺 口 112移动到圆桶形外罩116的侧上方，去离子水喷嘴则从圆桶形外罩116的侧上方转动 经过对应的缺口 112到达该圆桶形外罩116的正上方，控制门212关闭，开始进行去离子水 冲洗。去离子水喷嘴释放去离子水将晶圆表面的化学清洗液冲洗干净。 最后，当该氮气喷嘴110需要释放氮气时，控制门212打开，去离子水喷嘴转动经 过其中对应的缺口 112移动到圆桶形外罩116的侧上方，而所述氮气喷嘴110转动经过其 中对应的缺口 112移动到位于所述圆桶形外罩116的正上方，控制门212闭合，并释放氮 气。由于在上述化学本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆清洗设备，包括：外罩，所述外罩表面设有若干个缺口；其特征在于，还包括与所述缺口位置对应，用于封闭或者开放所述缺口的控制门。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：卢夕生，杜亮，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]