蒸镀方法及蒸镀系统技术方案

本发明专利技术公开了一种蒸镀方法及蒸镀系统，属于显示技术领域。该方法包括：在真空腔室中，对蒸镀靶材进行加热，使得靶材分子从加热后的蒸镀靶材上脱离并射出，以附着在待蒸镀基板，该待蒸镀基板的温度小于蒸镀靶材的温度；在待蒸镀基板远离蒸镀靶材的一侧输出矩形超声波，使得附着在待蒸镀基板的第一区域的靶材分子朝靠近蒸镀靶材的方向移动，并附着在蒸镀靶材上。本发明专利技术解决了相关技术中在进行真空蒸镀工艺的过程中靶材分子的利用率较低的问题，达到了提高靶材分子的利用率的效果。本发明专利技术用于真空蒸镀。

Evaporation method and evaporation system

The invention discloses a evaporation method and a evaporation system, belonging to the display technology field. The method includes: heating the vaporized target in the vacuum chamber so that the target molecule is separated and ejected from the steamed target after heating to attach to the steamed substrate. The temperature of the plate is less than the temperature of the steamed target, and the rectangular ultrasonic wave is output on one side of the steamed plate far away from the steamed target. The target molecules attached to the first area of the evaporating substrate are moved toward the direction of the evaporation target and attached to the evaporating target material. The invention solves the problem that the utilization ratio of the target molecule is low during the vacuum evaporation process in the related technology, and achieves the effect of improving the utilization ratio of the target molecule. The invention is used for vacuum evaporation.

【技术实现步骤摘要】
蒸镀方法及蒸镀系统
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种蒸镀方法及蒸镀系统。
技术介绍
目前，真空蒸镀工艺是制作有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)显示屏的重要工艺之一，真空蒸镀工艺是利用掩膜版通过真空蒸镀方式在待蒸镀基板上形成所需的图案。相关技术中，在对待蒸镀基板进行真空蒸镀工艺时，通常是将掩膜版以及待蒸镀基板放在真空腔室中，然后对蒸镀靶材进行加热，使得靶材分子从蒸镀靶材上脱离并射出，之后通过掩膜版的透光区域附着待蒸镀基板上，以形成所需的图案。专利技术人在实现本专利技术的过程中，发现上述方式至少存在如下缺陷：在进行真空蒸镀工艺的过程中，从蒸镀靶材上脱离的靶材分子会附着在掩膜版，造成靶材分子的浪费，因此，靶材分子的利用率较低。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种蒸镀方法及蒸镀系统，可以解决相关技术中在进行真空蒸镀工艺的过程中靶材分子的利用率较低的问题。所述技术方案如下：第一方面，提供了一种蒸镀方法，所述方法包括：在真空腔室中，对蒸镀靶材进行加热，使得靶材分子从加热后的蒸镀靶材上脱离并射出，以附着在待蒸镀基板，所述待蒸镀基板的温度小于所述蒸镀靶材的温度；在所述待蒸镀基板远离所述蒸镀靶材的一侧输出矩形超声波，使得附着在所述待蒸镀基板的第一区域的靶材分子朝靠近所述蒸镀靶材的方向移动，并附着在所述蒸镀靶材上，所述矩形超声波的波谷位置与第二区域对应，所述矩形超声波的波峰位置与所述第一区域对应，所述第二区域为待形成图案的区域，所述第一区域为所述待蒸镀基板除所述第二区域之外的区域。可选的，所述方法还包括：对所述待蒸镀基板进行加热，并使所述待蒸镀基板的温度不超过预设温度，所述预设温度为使附着在所述第二区域的靶材分子固化在所述第二区域的温度。可选的，所述方法还包括：增大输出的矩形超声波的能量，使得所述矩形超声波的振幅变大。可选的，在所述待蒸镀基板远离所述蒸镀靶材的一侧输出矩形超声波之前，所述方法还包括：对多列超声波进行傅里叶变换处理，以产生由所述多列超声波叠加而成的所述矩形超声波。可选的，加热后的所述待蒸镀基板的温度为400℃，所述预设温度为440℃。第二方面，提供了一种蒸镀系统，所述系统包括：真空腔室、超声波发生器、蒸镀靶材和加热单元，所述蒸镀靶材与待蒸镀基板相对设置，所述超声波发生器设置在所述待蒸镀基板远离所述蒸镀靶材的一侧，所述待蒸镀基板、所述超声波发生器、所述蒸镀靶材和所述加热单元位于所述真空腔室中，所述加热单元用于：对所述蒸镀靶材进行加热，使得靶材分子从加热后的蒸镀靶材上脱离并射出，以附着在所述待蒸镀基板，所述待蒸镀基板的温度小于所述蒸镀靶材的温度；所述超声波发生器用于：在所述待蒸镀基板远离所述蒸镀靶材的一侧输出矩形超声波，使得附着在所述待蒸镀基板的第一区域的靶材分子朝靠近所述蒸镀靶材的方向移动，并附着在所述蒸镀靶材上，所述矩形超声波的波谷位置与第二区域对应，所述矩形超声波的波峰位置与所述第一区域对应，所述第二区域为待形成图案的区域，所述第一区域为所述待蒸镀基板除所述第二区域之外的区域。可选的，所述加热单元还用于：对所述待蒸镀基板进行加热，并使所述待蒸镀基板的温度不超过预设温度，所述预设温度为使附着在所述第二区域的靶材分子固化在所述第二区域的温度。可选的，所述超声波发生器还用于：增大输出的矩形超声波的能量，使得所述矩形超声波的振幅变大。可选的，所述超声波发生器具体用于：对多列超声波进行傅里叶变换处理，以产生由所述多列超声波叠加而成的所述矩形超声波。可选的，加热后的所述待蒸镀基板的温度为400℃，所述预设温度为440℃。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是：本专利技术实施例提供了一种蒸镀方法及蒸镀系统，在真空腔室中，对蒸镀靶材进行加热，使得靶材分子从加热后的蒸镀靶材上脱离并射出，以附着在待蒸镀基板，并在待蒸镀基板远离蒸镀靶材的一侧输出矩形超声波，使得附着在待蒸镀基板的第一区域的靶材分子朝靠近蒸镀靶材的方向移动，并附着在蒸镀靶材上。由于通过矩形超声波使得附着在待蒸镀基板的第一区域的靶材分子重新返回至蒸镀靶材，重新返回至蒸镀靶材的靶材分子能够被再次利用，因此提高了靶材分子的利用率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术部分实施例中提供的蒸镀方法所涉及的实施环境的示意图；图2是本专利技术实施例提供了一种蒸镀方法的流程图；图3是本专利技术实施例提供的一种蒸镀系统的结构示意图；图4是本专利技术实施例提供了另一种蒸镀方法的流程图；图5示出了本专利技术实施例提供的形成的矩形超声波的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。请参见图1，其示出了本专利技术部分实施例中提供的蒸镀方法所涉及的实施环境的示意图。该实施环境可以包括：待蒸镀基板110、蒸镀靶材120和真空腔室130。其中，待蒸镀基板110和蒸镀靶材120位于真空腔室130中，在对蒸镀靶材120进行加热时，靶材分子会从蒸镀靶材120上脱离并射出，射出的靶材分子会附着在待蒸镀基板110的预设区域，以形成所需的图案。本专利技术实施例提供了一种蒸镀方法，如图2所示，该方法包括：步骤101、在真空腔室中，对蒸镀靶材进行加热，使得靶材分子从加热后的蒸镀靶材上脱离并射出，以附着在待蒸镀基板。待蒸镀基板的温度小于蒸镀靶材的温度，从而确保从蒸镀靶材上脱离的靶材分子可以附着在待蒸镀基板。步骤102、在待蒸镀基板远离蒸镀靶材的一侧输出矩形超声波，使得附着在待蒸镀基板的第一区域的靶材分子朝靠近蒸镀靶材的方向移动，并附着在蒸镀靶材上，该矩形超声波的波谷位置与第二区域对应，该矩形超声波的波峰位置与第一区域对应，该第二区域为待形成图案的区域，该第一区域为待蒸镀基板除第二区域之外的区域。综上所述，本专利技术实施例提供的一种蒸镀方法，在真空腔室中，对蒸镀靶材进行加热，使得靶材分子从加热后的蒸镀靶材上脱离并射出，以附着在待蒸镀基板，并在待蒸镀基板远离蒸镀靶材的一侧输出矩形超声波，使得附着在待蒸镀基板的第一区域的靶材分子朝靠近蒸镀靶材的方向移动，并附着在蒸镀靶材上。由于通过矩形超声波使得附着在待蒸镀基板的第一区域的靶材分子重新返回至蒸镀靶材，重新返回至蒸镀靶材的靶材分子能够被再次利用，因此提高了靶材分子的利用率。图3示出了本专利技术实施例提供的蒸镀方法可以适用的一种蒸镀系统100的结构示意图，该蒸镀系统100包括真空腔室130、超声波发生器140、蒸镀靶材120和加热单元150。蒸镀靶材120与待蒸镀基板110相对设置，超声波发生器140设置在待蒸镀基板110远离蒸镀靶材120的一侧。待蒸镀基板110、超声波发生器140、蒸镀靶材120和加热单元150位于真空腔室130中。在上述步骤101中，如图3所示，可以通过加热单元150对蒸镀靶材120进行加热，使得靶材分子从加热后的蒸镀靶材120上脱离并射出，以附着在待蒸镀基板110。在上述步骤102中，如图3所示，可以通过超声波发生器140在待蒸镀基板110远本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蒸镀方法，其特征在于，所述方法包括：在真空腔室中，对蒸镀靶材进行加热，使得靶材分子从加热后的蒸镀靶材上脱离并射出，以附着在待蒸镀基板，所述待蒸镀基板的温度小于所述蒸镀靶材的温度；在所述待蒸镀基板远离所述蒸镀靶材的一侧输出矩形超声波，使得附着在所述待蒸镀基板的第一区域的靶材分子朝靠近所述蒸镀靶材的方向移动，并附着在所述蒸镀靶材上，所述矩形超声波的波谷位置与第二区域对应，所述矩形超声波的波峰位置与所述第一区域对应，所述第二区域为待形成图案的区域，所述第一区域为所述待蒸镀基板除所述第二区域之外的区域。

【技术特征摘要】
1.一种蒸镀方法，其特征在于，所述方法包括：在真空腔室中，对蒸镀靶材进行加热，使得靶材分子从加热后的蒸镀靶材上脱离并射出，以附着在待蒸镀基板，所述待蒸镀基板的温度小于所述蒸镀靶材的温度；在所述待蒸镀基板远离所述蒸镀靶材的一侧输出矩形超声波，使得附着在所述待蒸镀基板的第一区域的靶材分子朝靠近所述蒸镀靶材的方向移动，并附着在所述蒸镀靶材上，所述矩形超声波的波谷位置与第二区域对应，所述矩形超声波的波峰位置与所述第一区域对应，所述第二区域为待形成图案的区域，所述第一区域为所述待蒸镀基板除所述第二区域之外的区域。2.根据权利要求1所述的蒸镀方法，其特征在于，所述方法还包括：对所述待蒸镀基板进行加热，并使所述待蒸镀基板的温度不超过预设温度，所述预设温度为使附着在所述第二区域的靶材分子固化在所述第二区域的温度。3.根据权利要求1所述的蒸镀方法，其特征在于，所述方法还包括：增大输出的矩形超声波的能量，使得所述矩形超声波的振幅变大。4.根据权利要求1所述的蒸镀方法，其特征在于，在所述待蒸镀基板远离所述蒸镀靶材的一侧输出矩形超声波之前，所述方法还包括：对多列超声波进行傅里叶变换处理，以产生由所述多列超声波叠加而成的所述矩形超声波。5.根据权利要求2所述的蒸镀方法，其特征在于，加热后的所述待蒸镀基板的温度为400℃，所述预设温度为440℃。6.一种蒸镀系统，其特征在于，所述系统包括：真空腔室、超声波发生器、蒸镀靶材和加热单元，所述蒸镀靶材...

【专利技术属性】
技术研发人员：万冀豫，张大成，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11