制造半导体装置的设备制造方法及图纸

本公开实施例为一设备，此设备包含集体晶片盘，集体晶片盘包含多个独立晶片槽，这些独立晶片槽具有各自的独立晶片盘，这些独立晶片盘配置为绕着各自的第一轴旋转，集体晶片盘配置为绕着第二轴旋转。此设备还包含耦接至集体晶片盘的马达，以及配置为控制马达的控制单元，使得独立晶片盘绕着各自的第一轴旋转，且集体晶片盘绕第二轴旋转。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体装置的设备
本公开实施例涉及半导体制造技术，且特别涉及半导体装置以及制造半导体装置的设备和方法。
技术介绍
半导体装置用于各种不同的电子应用，例如，个人电脑、手机、数码相机和其他电子设备。半导体装置的制造通常通过在半导体基底上依序沉积绝缘或介电层、导电层和半导体层的材料，并且使用光刻技术将各种材料层图案化，以形成电路组件以及元件于半导体基底上。半导体工业通过持续微缩最小部件的尺寸，使得更多组件整合至指定的区域中，以持续改善各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度。然而，随着最小部件尺寸的微缩，出现了需要被解决的额外的问题。
技术实现思路
本公开的一些实施例提供制造半导体装置的设备，此设备包含集体晶片盘，集体晶片盘包含多个独立晶片槽，这些独立晶片槽具有各自的独立晶片盘，这些独立晶片盘配置为绕着各自的第一轴旋转，集体晶片盘配置为围着绕第二轴旋转。此设备还包含耦接至集体晶片盘的马达，以及配置为控制马达的控制单元，使得独立晶片盘绕着各自的第一轴旋转，且集体晶片盘绕着第二轴旋转。本公开的一些实施例提供制造半导体装置的设备，此设备包含耦接至轴的基座，此基座具有多个晶片槽，多个晶片盘设置于基座的第一侧上的各自的晶片槽中。此设备还包含独立基座齿轮，独立基座齿轮耦接至在基座的第二侧上的各自的晶片盘。此设备还包含集体基座齿轮，集体基座齿轮耦接至在基座的第二侧上的轴，集体基座齿轮配置为绕着此轴旋转，独立基座齿轮机械地且物理上地耦接至集体基座齿轮。本公开的一些实施例提供制造半导体装置的方法，此方法包含分配多个前驱物材料于承载多个晶片的集体晶片盘上，当分配前驱物材料时加热集体晶片盘，当分配前驱物材料且加热集体晶片盘时绕着第一轴旋转集体晶片盘，当分配前驱物材料且加热集体晶片盘时绕着各自的第二轴旋转晶片，第一轴不同于每一个第二轴，以及自每一个晶片将集成电路装置分割。附图说明通过以下的详述配合所附附图，可以更加理解本公开实施例的观点。值得注意的是，根据业界标准惯例，各个不同部件(feature)未必按照比例绘制。事实上，为了讨论的明确易懂，各个不同部件的尺寸可随意增加或减少。图1A和图1B是根据一些实施例分别说明集体晶片盘的剖面示意图和平面示意图。图2和图3是根据一些实施例说明沉积系统的示意图。图4是根据一些实施例说明鳍式场效晶体管(finfield-effecttransistor，FinFET)的三维示意图的范例。图5至图22B是根据一些实施例，利用图2和图3的沉积系统制造鳍式场效晶体管(FinFET)的各个中间阶段的剖面示意图。附图标记说明：10～集体晶片盘；12～晶片；14～轴；16～基座；18～晶片槽；20～独立晶片盘；22～支架；24～吸盘；26～隔离件；28～密封件；30～独立基座齿轮；32～集体基座齿轮；34～紧固件；50～基底；50B～第一区；50C～第二区；52、56～鳍片；54～隔离区；58～虚设介电层；60～虚设栅极层；62～掩模层；70～虚设栅极；72～掩模；80～栅极密封间隔物；82～外延的源极/漏极区；86～栅极间隔物；88、108～层间介电层；90、100～凹陷；92～栅极介电层；94～栅极电极；102～硬掩模；104～介电层材料；106～虚设接触物材料；110、112～接触物；200～沉积系统；211～第一前驱物输送系统；213～第二前驱物输送系统；215～第三前驱物输送系统；217～第四前驱物输送系统；219～沉积腔室；221～气体供应；223～流量控制器；225～前驱物气体控制器；227～控制单元；229～歧管；231～喷洒头；233～壳体；237～排气出口；239～真空泵；243～驱动机构；251～处理单元；253～显示器；255～输入/输出组件；257～中央处理单元；259～存储器；261～大量存储装置；263～视频配接器；265～输入/输出接口；267～汇流排；269～网络接口；271～区域网络或广域网络；R1～第一轴；R2～第二轴。具体实施方式以下提供许多不同的实施例或示范，用于实施本公开实施例的不同部件。以下描述了组件和配置的具体范例，以简化本公开实施例。当然，这些仅仅是范例，并非意图限制本公开实施例。举例而言，叙述中若提及第一部件形成于第二部件之上，可能包含形成第一和第二部件直接接触的实施例，也可能包含额外的部件形成于第一和第二部件之间，使得第一和第二部件不会直接接触的实施例。另外，本公开实施例可能在许多范例中重复参照的标号及/或字母。这些重复的目的是为了简化和清楚，其本身并非用于表示各种实施例及/或所讨论的配置之间的关系。再者，在以下叙述中可使用空间上相关措辞，例如「在……之下」、「在……下方」、「下方的」、「在……上方」、「上方的」和其他类似的用语，以简化一元件或部件与其他元件或其他部件之间如图所示的关系的陈述。此空间相关措辞除了包含附图所描绘的方位，还包含装置在使用或操作中的不同方位。装置可以朝其他方位定位(旋转90度或在其他方位)，且在此使用的空间相关描述可依此相应地解读。根据各种实施例，描述半导体装置、其制造方法和制造工具。特别是，制造工具例如沉积腔室可包含在沉积过程中加热基底的基座(susceptor)或晶片载台(platform)。基座包含多个用以承载晶片的槽(pockets)，并且每一个槽具有齿轮，其机械性地耦接至基座的中心齿轮。通过转动中心齿轮或槽齿轮的其中一者，可在沉积的过程中使得每一个晶片在其各自的槽中旋转，而不会破坏沉积腔室的任何真空(例如，原位(insitu))。在沉积的过程中也可旋转基座。基座的顶面可能具有不均匀的加热轮廓；在槽中独自旋转每片晶片且与基座共同旋转，这可使每片晶片在沉积过程中大致上均匀地被加热。在沉积工艺的过程中均匀地加热晶片可改善沉积材料的厚度均匀度。在沉积过程中旋转而不破坏腔室的任何真空可避免机台的停机时间，机台的停机时间可能经由停止沉积工艺、移除和转动晶片以及重启沉积工艺所引起。图1A和图1B分别说明用以承载多片晶片12的集体晶片盘(collectivewaferplatter)10的剖面示意图和平面示意图。集体晶片盘10包含轴(shaft)14和基座16。集体晶片盘10可连接至驱动机构(未显示于图1A和图1B，但将于后续讨论)，在晶片加工处理步骤的过程中，例如沉积工艺，可操作驱动机构使基座16在工艺腔室中旋转或转动。在一些实施利中，基座16固定于轴14，并且驱动机构驱动轴14，使得轴14和基座16一起转动。在一些实施例中，基座16是自由的绕轴14旋转，且驱动机构驱动基座16，使得基座16绕轴14旋转。在一些方面，基座16作为工艺表面以机械性地支撑晶片12。基座16可吸收电磁能并且将电磁能转变为热能，以在工艺过程中加热晶片12，并且基座16可由非透明材料制成，例如碳化硅、具有碳化硅涂层的石墨及/或类似材料。基座16具有多个晶片槽18，每一个晶片槽18承载各自的晶片12。独立晶片盘20承载在各自的晶片槽18中的晶片12。每一个独立晶片盘20包含支撑吸盘(chuck)24的支架22。支架22延伸穿过基座16，并且吸盘24保持在各自的晶片槽18中的晶片12。独立晶片盘20还包括隔离件(isolator本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体装置的设备，包括：一集体晶片盘，包括多个独立晶片槽，所述多个独立晶片槽具有各自的独立晶片盘，所述多个独立晶片盘配置为绕各自的第一轴旋转，该集体晶片盘配置为绕一第二轴旋转；一马达，耦接至该集体晶片盘；以及一控制单元，配置为控制该马达，使得所述多个独立晶片盘绕各自的该第一轴旋转，且该集体晶片盘绕该第二轴旋转。

【技术特征摘要】
2016.12.15 US 62/434,864;2017.09.01 US 15/693,7411.一种制造半导体装置的设备，包括：一集体晶片盘，包括多个独立晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：张永昌，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71