一种用于等离子体刻蚀监测的承载装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种用于等离子体刻蚀监测的承载装置，该承载装置与等离子体刻蚀设备配合而完成晶元的刻蚀作业；承载装置为石墨板本体；石墨板本体开设若干用于装载晶元的晶元承载槽；石墨板本体开设用于装载检测片的监测承载槽。该用于等离子体刻蚀监测的承载装置能增大刻蚀装置产能，避免压环印，有效监测刻蚀终点，预防过刻与欠刻，形成良好的电极窗口。

【技术实现步骤摘要】
一种用于等离子体刻蚀监测的承载装置
本技术涉及半导体
，特别涉及一种用于等离子体刻蚀监测的承载装置。
技术介绍
等离子刻蚀工序是指通过刻蚀介质膜，形成良好的P面电极窗口。刻蚀氮化硅、氧化硅需得到好的侧壁剖面，即各项异性一般采用的是等离子体刻蚀装置，使用的刻蚀装置一般每次做单片，无需使用托盘，直接传递到工艺腔中间，上面用压环压住防止晶元随气流的流动而流动，但刻蚀后的晶元会存在一个压环印，不能满足生产需求。现有技术中的刻蚀装置产能较低，刻蚀的晶元存在压环印，不满足特定产品要求。
技术实现思路
本申请提供的一种用于等离子体刻蚀监测的承载装置，解决了或部分解决了现有技术中刻蚀装置产能较低，刻蚀的晶元存在压环印，不满足特定产品要求的技术问题。本申请提供了一种用于等离子体刻蚀监测的承载装置，所述承载装置与等离子体刻蚀设备配合而完成晶元的刻蚀作业；所述承载装置为石墨板本体；所述石墨板本体开设若干装载所述晶元的晶元承载槽；所述石墨板本体开设装载检测片的监测承载槽。作为优选，所述等离子体刻蚀设备包括激光终点监测装置；所述激光终点监测装置用于实时监测刻蚀作业；当进行刻蚀作业时，所述石墨板本体设置在所述监测承载槽正对所述激光终点监测装置底部的位置。作为优选，所述石墨板本体设置为圆形盘状结构；若干所述晶元承载槽及所述监测承载槽开设在所述石墨板本体的顶面；若干所述晶元承载槽沿所述石墨板本体的圆周均布；所述监测承载槽设置在所述石墨板本体的中心。作为优选，所述晶元承载槽为圆形槽；所述监测承载槽为方形槽，所述监测承载槽的中心与所述石墨板本体的中心位于同一位置；所述监测承载槽的方形截面面积小于所述晶元承载槽的圆形截面面积。作为优选，所述晶元承载槽的内径为76.2mm。作为优选，所述监测承载槽的边长为20mm；所述监测承载槽的深度为0.6mm。作为优选，所述石墨板本体的圆周均布有4个所述晶元承载槽。作为优选，所述晶元承载槽的形状与所述晶元的形状相适应；所述监测承载槽的形状与所述监测片的形状相适应。作为优选，所述晶元与所述监测片的材质和构成相同。作为优选，所述晶元与所述监测片的材质为砷化镓。本申请中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：由于提供了一种能与等离子体刻蚀设备配合而完成晶元的刻蚀作业的承载装置，且该承载装置为石墨板本体，石墨板本体开设若干用于装载晶元的晶元承载槽，并开设用于装载检测片的监测承载槽；若干晶元承载槽的设置使多个晶元能同时进行刻蚀作业，进行刻蚀作业时，监测承载槽正对激光终点监测装置的底部，实时检测监测片的刻蚀状态，保证晶元刻蚀作业的终点准确无误，有效防止过刻和欠刻。这样，有效解决了现有技术中刻蚀装置产能较低，刻蚀的晶元存在压环印，不满足特定产品要求的技术问题，实现了增大刻蚀装置产能，避免压环印，有效监测刻蚀终点，预防过刻与欠刻，形成良好的电极窗口的技术效果。附图说明图1为本技术实施例提供的用于等离子体刻蚀监测的承载装置的结构示意图；图2为图1中监测承载槽的竖直截面示意图。(图示中各标号代表的部件依次为：1石墨板本体，2晶元承载槽，3监测承载槽)具体实施方式本申请实施例提供的一种用于等离子体刻蚀监测的承载装置，解决了或部分解决了现有技术中刻蚀装置产能较低，刻蚀的晶元存在压环印，不满足特定产品要求的技术问题，通过提供一种能与等离子体刻蚀设备配合而完成晶元的刻蚀作业的承载装置，且该承载装置为石墨板本体，石墨板本体开设若干用于装载晶元的晶元承载槽，并开设用于装载检测片的监测承载槽，实现了增大刻蚀装置产能，避免压环印，有效监测刻蚀终点，预防过刻与欠刻，形成良好的电极窗口的技术效果。参见附图1，本申请提供了一种用于等离子体刻蚀监测的承载装置，该承载装置与等离子体刻蚀设备配合而完成晶元的刻蚀作业；承载装置为石墨板本体1；石墨板本体1开设若干用于装载晶元的晶元承载槽2；石墨板本体1开设用于装载检测片的监测承载槽3。其中，若干晶元承载槽2的设置使多个晶元能同时进行刻蚀作业，进行刻蚀作业时，监测承载槽3正对激光终点监测装置的底部，实时检测监测片的刻蚀状态，保证晶元刻蚀作业的终点准确无误，有效防止过刻和欠刻。进一步的，等离子体刻蚀设备包括激光终点监测装置；激光终点监测装置用于实时监测刻蚀作业；当进行刻蚀作业时，石墨板本体1设置在监测承载槽3正对激光终点监测装置底部的位置，实现刻蚀作业的监测。进一步的，石墨板本体1设置为圆形盘状结构；若干晶元承载槽2及监测承载槽3开设在石墨板本体1的顶面；若干晶元承载槽2沿石墨板本体1的圆周均布；监测承载槽3设置在石墨板本体1的中心，以适应激光终点监测装置相对等离子体刻蚀设备的位置，保证激光终点监测装置能正常使用，继而实现刻蚀作业的监测。监测承载槽能装载监测片，还能防止刻蚀作业时监测片随等离子体气流移动，影响监测效果。进一步的，晶元承载槽2为圆形槽；参见附图2，监测承载槽3为方形槽，监测承载槽3的中心与石墨板本体1的中心位于同一位置；监测承载槽3的方形截面面积小于晶元承载槽2的圆形截面面积，可以通过金刚刀将晶元划裂成小块的晶元片，将该小块的晶元片作为监测片放入监测承载槽3中，进行刻蚀作业的监测，从而节约了晶元原料的使用成本。进一步的，晶元承载槽2的内径为76.2mm。监测承载槽3的边长为20mm；监测承载槽3的深度为0.6mm。进一步的，石墨板本体1的圆周均布有4个晶元承载槽2。晶元承载槽2的形状与晶元的形状相适应；监测承载槽3的形状与监测片的形状相适应。晶元与监测片的材质和构成相同，作为一种优选的实施例，晶元与监测片的材质为砷化镓。本申请中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：由于提供了一种能与等离子体刻蚀设备配合而完成晶元的刻蚀作业的承载装置，且该承载装置为石墨板本体1，石墨板本体1开设若干用于装载晶元的晶元承载槽2，并开设用于装载检测片的监测承载槽3；若干晶元承载槽2的设置使多个晶元能同时进行刻蚀作业，进行刻蚀作业时，监测承载槽3正对激光终点监测装置的底部，实时检测监测片的刻蚀状态，保证晶元刻蚀作业的终点准确无误，有效防止过刻和欠刻。这样，有效解决了现有技术中刻蚀装置产能较低，刻蚀的晶元存在压环印，不满足特定产品要求的技术问题，实现了增大刻蚀装置产能，避免压环印，有效监测刻蚀终点，预防过刻与欠刻，形成良好的电极窗口的技术效果。以上所述的具体实施方式，对本技术的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本技术的具体实施方式而已，并不用于限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于等离子体刻蚀监测的承载装置，其特征在于，所述承载装置与等离子体刻蚀设备配合而完成晶元的刻蚀作业；所述承载装置为石墨板本体；所述石墨板本体开设若干装载所述晶元的晶元承载槽；所述石墨板本体开设装载检测片的监测承载槽。

【技术特征摘要】
1.一种用于等离子体刻蚀监测的承载装置，其特征在于，所述承载装置与等离子体刻蚀设备配合而完成晶元的刻蚀作业；所述承载装置为石墨板本体；所述石墨板本体开设若干装载所述晶元的晶元承载槽；所述石墨板本体开设装载检测片的监测承载槽。2.如权利要求1所述的用于等离子体刻蚀监测的承载装置，其特征在于，所述等离子体刻蚀设备包括激光终点监测装置；所述激光终点监测装置用于实时监测刻蚀作业；当进行刻蚀作业时，所述石墨板本体设置在所述监测承载槽正对所述激光终点监测装置底部的位置。3.如权利要求1所述的用于等离子体刻蚀监测的承载装置，其特征在于，所述石墨板本体设置为圆形盘状结构；若干所述晶元承载槽及所述监测承载槽开设在所述石墨板本体的顶面；若干所述晶元承载槽沿所述石墨板本体的圆周均布；所述监测承载槽设置在所述石墨板本体的中心。4.如权利要求3所述的用于等离子体刻蚀监测的承载装置，其特征在于，所述晶元承载槽为圆形槽；所述监测承载槽为方形槽，...

【专利技术属性】
技术研发人员：高文丽，邓建伟，王虎，
申请(专利权)人：武汉锐晶激光芯片技术有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北,42