一种硅片处理方法以及太阳电池制作方法技术

本发明专利技术公开了一种硅片处理方法以及太阳能电池制作方法，本发明专利技术技术方案在第一流量的二氯乙烯环境中对待处理硅片进行设定时间的加热处理，可以消除待处理硅片的表面以及反应炉进行清洁处理，在第二流量的二氯乙烯气体以及设定流量的氧气构成的混合气体环境中对待处理芯片进行设定时间的氧化处理，可以降低所述待处理硅片内的氧环缺陷。可见，本发明专利技术技术方案可以有效去除所述待处理硅片的表面杂质以及所述待处理硅片内的氧环缺陷，大大提高硅片质量。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片处理方法以及太阳电池制作方法
本专利技术涉及硅片处理
，更具体的说，涉及一种硅片处理方法以及太阳能电池制作方法。
技术介绍
晶体硅是当今一种极其重要的半导体材料，被广泛的应用于太阳能电池、集成电路、探测器以及传感器等领域，以形成具有各种功能的电子设备，这些电子设备的广泛使用为人们的日常生活以及工作带了了巨大的便利，成为当今人们不可或缺的重要工具。由于工艺条件等原因，在晶体硅的铸锭以及切片加工过程中，会破坏硅晶格的完整性，形成晶格缺陷，进而导致硅片形成产品的可靠性较差。通过传统热处理方法可以一定程度消除硅片晶格缺陷，提高硅片的质量。但是传统的热处理方法无法有效消除硅片中的氧环缺陷。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术技术方案提供了一种硅片处理方法以及太阳能电池制作方法，可以有效消除硅片中的氧环缺陷，提高硅片质量。为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种硅片处理方法，所述处理方法包括：将待处理硅片放置于反应炉内；向所述反应炉内通入第一流量的二氯乙烯气体，通过所述反应炉对所述硅片进行加热处理；经过设定时间的加热处理后，向所述反应炉内通入第二流量的二氯乙烯气体以及本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片处理方法，其特征在于，所述处理方法包括：将待处理硅片放置于反应炉内；向所述反应炉内通入第一流量的二氯乙烯气体，通过所述反应炉对所述硅片进行加热处理；经过设定时间的加热处理后，向所述反应炉内通入第二流量的二氯乙烯气体以及设定流量的氧气，对所述待处理硅片进行氧化处理，以降低所述待处理硅片内的氧环缺陷；所述第二流量小于所述第一流量；经过设定时间的氧化处理后，在氮气环境中对所述待处理硅片进行退火处理。

【技术特征摘要】
1.一种硅片处理方法，其特征在于，所述处理方法包括：将待处理硅片放置于反应炉内；向所述反应炉内通入第一流量的二氯乙烯气体，通过所述反应炉对所述硅片进行加热处理；经过设定时间的加热处理后，向所述反应炉内通入第二流量的二氯乙烯气体以及设定流量的氧气，对所述待处理硅片进行氧化处理，以降低所述待处理硅片内的氧环缺陷；所述第二流量小于所述第一流量；经过设定时间的氧化处理后，在氮气环境中对所述待处理硅片进行退火处理。2.根据权利要求1所述的硅片处理方法，其特征在于，所述第一流量为9slm-11slm，包括端点值。3.根据权利要求1所述的硅片处理方法，其特征在于，所述通过所述反应炉对所述硅片进行加热处理包括：将硅片加热至900℃-1100℃，...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑霈霆，张范，张昕宇，金浩，许佳平，孙海杰，郭摇，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33