一种硅片的确定方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种硅片的确定方法及装置，该方法根据各个硅片的各个位置编码与硅片制备的电池片的光衰值、以及各个位置编码与硅片电阻率的对应关系，获得电阻率与光衰值的对应关系，并由电阻率与光衰值的对应关系，确定出硅片制备的电池片为光衰较低的电池片。从而能够降低硅片之间的差异，减少电池片的光衰波动，扩大工艺窗口，进而提高电池片的产能和良率，降低电池片的成本。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片的确定方法及装置
本专利技术实施例涉及数据处理
，尤其涉及一种硅片的确定方法及装置。
技术介绍
太阳电池是利用半导体PN结的光电效应产生电能，是一种可持续的清洁能源。其可分为硅基太阳电池、III-V族太阳电池等，其中，晶硅太阳电池是当前产业化中应用最广泛的一种太阳电池，例如其可应用于并网发电、离网发电、商业应用等领域。当前，晶硅太阳电池中多晶硅太阳电池由于具有单产产量大、成本低、纯度要求低等优点而迅速发展，与单晶硅太阳电池相比具有平等的市场份额占有量。但是，由于其内部存在大量晶界、较高的位错密度和杂质浓度，致使其转换效率较低。为使得多晶硅太阳电池的效率提高与其制备成本相匹配，多采用局部接触背钝化(PERC)技术作为晶硅太阳电池的制备方法。该制备方法通过采用SiO2/SiNx或Al2O3/SiNx叠层膜作为背钝化介质层,依次经过背面开槽、丝网印刷、烧结形成背面局部接触,制备钝化发射极和背表面电池(PERC)结构多晶硅太阳电池，该电池结构的正面和背面同时进行了表面钝化，此时晶体硅体材料的复合就成为制约太阳能电池光电转换效率的关键性因素。然而在P型晶体硅中，由于光照或电流注入本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片的确定方法，其特征在于，包括：获取各个硅片的各个位置编码与各个所述硅片制备的电池片的光衰值、以及各个所述位置编码与各个所述硅片电阻率的对应关系；根据各个所述位置编码与所述光衰值、以及各个所述位置编码与所述电阻率的对应关系，获取所述电阻率与所述光衰值的对应关系；根据所述电阻率与所述光衰值的对应关系，确定所述硅片制备的电池片为低光衰电池片。

【技术特征摘要】
1.一种硅片的确定方法，其特征在于，包括：获取各个硅片的各个位置编码与各个所述硅片制备的电池片的光衰值、以及各个所述位置编码与各个所述硅片电阻率的对应关系；根据各个所述位置编码与所述光衰值、以及各个所述位置编码与所述电阻率的对应关系，获取所述电阻率与所述光衰值的对应关系；根据所述电阻率与所述光衰值的对应关系，确定所述硅片制备的电池片为低光衰电池片。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取各个硅片的位置编码与各个所述硅片制备的电池片的光衰值、以及各个所述位置编码与各个所述硅片电阻率的对应关系，包括：根据不同位置编码取样的所述硅片制备的电池片的光衰测试结果，获取所述电池片的光衰值、以及各个所述位置编码与所述光衰值的对应关系；根据不同位置编码的所述硅片电阻率的测试结果，获取各个所述位置编码与所述电阻率的对应关系。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述位置编码包括所述硅片在硅棒上的第一位置编码和所述硅棒在硅锭上的第二位置编码。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据不同位置编码取样的硅片制备的电池片的光衰测试结果，获取所述电池片的光衰值、以及各个所述位置编码与所述光衰值的对应关系，包括：根据所述第一位置编码和所述第二位置编码，获取各个所述硅片的各个位置编码；获取各个所述位置编码的各个所述硅片制备的电池片的光衰测试结果；根据所述光衰测试结果，获取所述硅片的位置编码与所述光衰值的对应关系。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述电阻率与所述光衰值的对应关系，确定所述硅片制备的电池片为低光衰电池片，包括：根据所述电阻率与所述光衰值的对应关系，获取所述光衰值小于光衰预设阈值时所述硅片的电阻率阈值范围；当所述硅片的电阻率在所述电阻率阈值范围内时，确定所述硅片制备的所述电池片为低光衰...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴华德，熊光涌，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，阿特斯阳光电力集团有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32