晶体硅太阳电池的漏电处理方法技术

本发明专利技术涉及一种晶体硅太阳电池的漏电处理方法。该漏电处理方法包括如下步骤：将晶体硅太阳电池的正、负极分别接在电源的正负极，进行通电；通电后，在所述晶体硅太阳能电池的硅片正表面上，采集位于边缘不同位置处的物理特征数据；根据所述不同位置处的物理特征数据，确定所述晶体硅太阳电池中的PN结所在的位置；利用激光将所述PN结隔断。上述晶体硅太阳电池的漏电处理方法，不仅能够避免晶体硅太阳电池漏电，还能够最大限度地利用有限的发光面积，同时可以避免绝缘区域选取错误造成成品率低的问题。

【技术实现步骤摘要】
晶体硅太阳电池的漏电处理方法
本专利技术涉及太阳电池
，特别是涉及一种晶体硅太阳电池的漏电处理方法。
技术介绍
晶体硅太阳电池是一种将光能转化为电能的半导体器件。在光的照射下，晶体硅太阳电池内部产生光生载流子，这些光生载流子在PN结内建电场的作用下向电池的正负极迁移，并经电极引出，转化为电能。在太阳电池制备工艺中，PN结通常是采用高温扩散或离子注入的方法制备。这两种方法都会在靠近边缘的位置产生扩散层，从而导致正负极短路导通，形成漏电。
技术实现思路
基于此，有必要针对如何避免晶体硅太阳电池漏电的问题，提供一种晶体硅太阳电池的漏电处理方法。一种晶体硅太阳电池的漏电处理方法，包括如下步骤：将晶体硅太阳电池的正、负极分别接在电源的正负极，进行通电；通电后，在所述晶体硅太阳能电池的硅片正表面上，采集位于边缘不同位置处的物理特征数据；根据所述不同位置处的物理特征数据，确定所述晶体硅太阳电池中的PN结所在的位置；利用激光将所述PN结隔断。上述晶体硅太阳电池的漏电处理方法，通过将晶体硅太阳电池的正、负极分别接在电源的正负极，从而使得晶体硅太阳电池通电，采集通电后的晶体硅太阳电池的硅片的正表面的边本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体硅太阳电池的漏电处理方法，其特征在于，包括如下步骤：将晶体硅太阳电池的正、负极分别接在电源的正负极，进行通电；通电后，在所述晶体硅太阳能电池的硅片正表面上，采集位于边缘不同位置处的物理特征数据；根据所述不同位置处的物理特征数据，确定所述晶体硅太阳电池中的PN结所在的位置；利用激光将所述PN结隔断。

【技术特征摘要】
1.一种晶体硅太阳电池的漏电处理方法，其特征在于，包括如下步骤：将晶体硅太阳电池的正、负极分别接在电源的正负极，进行通电；通电后，在所述晶体硅太阳能电池的硅片正表面上，采集位于边缘不同位置处的物理特征数据；根据所述不同位置处的物理特征数据，确定所述晶体硅太阳电池中的PN结所在的位置；利用激光将所述PN结隔断。2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池的漏电处理方法，其特征在于，所述电源的电压为10V-15V。3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池的漏电处理方法，其特征在于，所述物理特征数据为所述晶体硅太阳电池的边缘的光强和/或温度。4.根据权利要求3所述的晶体硅太阳电池的漏电处理方法，其特征在于，采用光敏探头测量光强；采用温度探头测量温度。5.根据权利要求1-4中任一项所述的晶体硅太阳电池的漏电处理方法，其特征在于，确定所述PN结所在的位置的步骤包括：将所述晶体硅太阳电池的硅片的正表面的边缘上的每一点的位置坐标和其所对应的物理特征数据进行拟合...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏世伟，张为国，张松，韩向超，杨崇文，陈寒，
申请(专利权)人：上海大族新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31