嵌入式闪存的制作方法技术

本发明专利技术涉及嵌入式闪存的制作方法，在基底上的存储区形成有栅极结构，通过在逻辑区和存储区形成导电层并覆盖光刻胶消除了逻辑区和存储区的台阶差，通过光刻胶回刻，暴露出部分导电层，该部分导电层覆盖所述栅极结构的顶部和部分侧墙，将剩余的光刻胶做为光刻胶保护层，刻蚀该部分导电层，从而暴露出栅极结构的顶部和部分侧墙，在栅极结构周围形成了一定厚度的导电层，去除光刻胶保护层后，在逻辑区和存储区都形成了覆盖所述基底的导电层，与现有工艺中通过淀积较厚的多晶硅层并作平坦化处理消除逻辑区和存储区的台阶差的方法相比，减少了工艺流程并可节约成本。

【技术实现步骤摘要】
嵌入式闪存的制作方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及嵌入式的制作方法。
技术介绍
近年来，随着智能电子产品市场的飞速发展，各类微控制器(microcontrollerunit,MCU)及SoC芯片的使用已经深入到汽车电子、工业控制和医疗产品等日常生活的各个方面。而高性能的MCU或SoC产品都离不开高性能嵌入式闪存(embeddedflash,E-flash)内核的支持。无论是从芯片面积、系统性能和功耗上，还是从制造良率和设计周期上考虑，嵌入式存储器对SoC设计的主导作用都在不断增加。嵌入式闪存是将已有的闪存与现有的逻辑模块从物理或是电学进行结合，提供更多样的性能。闪存(flash)作为一种安全、快速的存储体，以其体积小、容量大、成本低、掉电数据不丢失等一系列优点，成为了嵌入式系统中数据和程序最主要的载体。其中，每个单元由两个晶体管-存储管和选择管(或擦除管)组成的2T嵌入式闪存由于可以通过选择管(或擦除管)将外部干扰(编程串扰，甚至擦除串扰)降低甚至摒除而得到广泛的使用。在现有的嵌入式闪存制造工艺中，在同一基底上往往同时进行存储单元(存储区)、逻辑晶体管(逻辑区)和高压晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种嵌入式闪存的制作方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底上包括逻辑区和存储区，所述存储区形成有栅极结构，所述栅极结构包括位于其顶部的硬掩模层和位于其侧壁的侧墙；形成导电层，所述导电层覆盖所述存储区和所述逻辑区；形成光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述导电层，并且所述光刻胶层的表面平行于所述基底表面；去除部分所述光刻胶层，暴露出部分所述导电层，所述部分导电层覆盖所述硬掩模层和部分所述侧墙；以剩余的所述光刻胶层作为光刻胶保护层，刻蚀所述导电层，暴露出所述硬掩模层和部分所述侧墙；以及去除所述光刻胶保护层。

【技术特征摘要】
1.一种嵌入式闪存的制作方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底上包括逻辑区和存储区，所述存储区形成有栅极结构，所述栅极结构包括位于其顶部的硬掩模层和位于其侧壁的侧墙；形成导电层，所述导电层覆盖所述存储区和所述逻辑区；形成光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述导电层，并且所述光刻胶层的表面平行于所述基底表面；去除部分所述光刻胶层，暴露出部分所述导电层，所述部分导电层覆盖所述硬掩模层和部分所述侧墙；以剩余的所述光刻胶层作为光刻胶保护层，刻蚀所述导电层，暴露出所述硬掩模层和部分所述侧墙；以及去除所述光刻胶保护层。2.如权利要求1所述的嵌入式闪存的制作方法，其特征在于，所述栅极结构还包括沿所述基底表面依次形成的浮栅、极间介质层以及控制栅。3.如权利要求1所述的嵌入式闪存的制作方法，其特征在于，在所述基底和所述栅极结构之间还形成有栅极氧化层，所述栅极结构位于所述栅极氧化层上方的高度是200～250nm。4.如权利要求1所述的嵌入式闪存的制作方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：张超然，李赟，周俊，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42