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本发明涉及嵌入式闪存的制作方法，在基底上的存储区形成有栅极结构，通过在逻辑区和存储区形成导电层并覆盖光刻胶消除了逻辑区和存储区的台阶差，通过光刻胶回刻，暴露出部分导电层，该部分导电层覆盖所述栅极结构的顶部和部分侧墙，将剩余的光刻胶做为光刻胶...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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