【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关闪存的技术，尤指一种可提升闪存模块的耐耗损能力和数据可靠度的闪存控制器。
技术介绍
闪存被广泛使用在很多应用中，例如固态硬盘(solid-state disk，SSD)、存储卡、数字相机、数字摄影机、多媒体播放器、移动电话、计算机和许多其它电子装置。闪存可用单阶储存单元(single-level cells, SLC)、多阶储存单元(multi-levelcells,MLC)、三阶储存单元(triple-level cells,TLC)或更高阶数的储存单元来实现。单阶储存单元在存取速度和数据可靠度方面的效能较高。多阶储存单元、三阶储存单元、和更高阶数的储存单元可用较低成本提供较高的储存容量，但耐用程度(endurance)和耐耗损 能力(wear capacity)则不如单阶储存单元来得好。由于前述的特性，现有的闪存装置在追求低成本、高容量的目标时，很难同时兼顾耐耗损能力和数据可靠度方面的表现。
技术实现思路
有鉴于此，如何有效改善以多阶储存单元、三阶储存单元或更高阶数的储存单元来实现的闪存的耐耗损能力和提高数据可靠度，实为业界有待解决的问题。本专利...
【技术保护点】
一种闪存控制器，其包含有：一通信接口，用于接收一第一数据、一第二数据、以及一第三数据；一记录媒体，用于记录一闪存模块中储存的数据量，其中该闪存模块包含有一读写电路、一第一数据区块、一第二数据区块、与一第三数据区块；以及一处理电路，耦接于该通信接口、该记录媒体、以及该闪存模块，用于在该闪存模块中储存的数据量低于一第一阀值时，控制该读写电路将该第一数据区块中的至少一储存单元的编程临界电压设置于一第一电压范围内，以将该第一数据写入该第一数据区块中，而当该闪存模块中储存的数据量高于一第二阀值时，该处理电路会控制该读写电路将该第三数据区块中的至少一储存单元的编程临界电压设置于一第二电...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨宗杰，郭郡杰，林璟辉，沈扬智，
申请(专利权)人：慧荣科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。