【技术实现步骤摘要】
一种陶瓷基板的封装结构
本技术属于LED光源封装技术的应用领域,具体涉及一种陶瓷基板的封装结构。
技术介绍
随着基于第三代半导体材料电子器件,包括大功率LED、电子器件和微波射频器件等,向着高速化、多功能、小型化的方向发展,电子系统中的功率密度随之增加,因此散热问题越来越严重。散热不良将导致LED光源的性能恶化、结构损坏、分层或烧毁。据计算,在基准温度(100℃)以上,工作温度每升高25℃,电路的失效率就会增加5-6倍。良好的高集成、高导热LED光源散热依赖于优化的散热结构设计、封装材料选择及封装制造工艺等。因此具有高导热率的器件封装结构,衬底材料,热界面材料以及封装技术的研究开发对未来大功率功率、高性能器件与电路的发展尤为重要。LED高功率器件芯片(如倒装焊FlipChip)工艺是将芯片有源区面对基板,通过芯片上呈阵列排列的焊料凸点实现芯片和填充的材料与基板线路的互连。但是通过芯片上的凸点和使用填充的材料与基板线路的互连封装工艺,存在着极大的缺陷:由于晶片、焊料和基底热胀系数的不同,在高温度变化时焊点可能承受很大应力;同时使用填充的材料与基板线路的互连存在空洞,产生LED光源的导电性和导热性不良。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种陶瓷基板的封装结构,具有高导电率和高导热效率的特点,能够在300℃以上的高温环境下使用,耐高温性较佳。为了解决上述技术问题,本技术采取以下技术方案:一种纳米Ag复合焊膏LED光源的陶瓷基板,包括陶瓷基板,其特征在于,所述陶瓷基板上设有光源N极、光源P极和LED光源金属导电层,该LED光源金属导电层一端通过线路与光源N极 ...
【技术保护点】
一种陶瓷基板的封装结构,包括陶瓷基板,其特征在于,所述陶瓷基板上设有光源N极、光源P极和LED光源金属导电层,该LED光源金属导电层一端通过线路与光源N极连接、另一端通过线路与光源P极连接,LED光源金属导电层上设有纳米Ag复合焊膏层,该纳米Ag复合焊膏上贴装有与LED光源导电金属层电连接的LED倒装芯片。
【技术特征摘要】
1.一种陶瓷基板的封装结构,包括陶瓷基板,其特征在于,所述陶瓷基板上设有光源N极、光源P极和LED光源金属导电层,该LED光源金属导电层一端通过线路与光源N极连接、另一端通过线路与光源P极连接,LED光源金属导电层上设有纳米Ag复合焊膏层,该纳米Ag复合焊膏上贴装有与LED光源导电金属层电连接的LED倒装芯片。2.根据权利要求1所述的陶瓷基板的封装结构,其特征在于,所述陶瓷基板为氧化铝陶瓷基板或氮化铝陶瓷基板。3.根据权利要求2所述的陶瓷基板的封装结构,其特征在于,所述纳米Ag复...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡西多,童玉珍,郑小平,
申请(专利权)人:东莞理工学院,
类型:新型
国别省市:广东,44
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