用于系统级封装的TSV转接板及其制备方法技术方案

本发明专利技术涉及一种用于系统级封装的TSV转接板及其制备方法，该方法包括：S101、选取Si衬底；S102、刻蚀所述Si衬底形成TSV，填充后形成TSV区；S103、刻蚀所述Si衬底在所述TSV区之间形成至少一个隔离沟槽，填充后形成隔离区；S104、在所述隔离区上制备二极管；S105、在所述TSV区的第一端面与所述二极管之间形成互连线；S106、在所述TSV区的第二端面制备金属凸点以完成所述TSV转接板的制备。本发明专利技术提供的TSV转接板通过在TSV转接板上加工二极管作为ESD防护器件，解决了基于TSV工艺的集成电路系统级封装抗静电能力弱的问题，增强了集成电路系统级封装的抗静电能力。

TSV adapter for system level packaging and its preparation method

The invention relates to a TSV adapter plate for a system level package and a preparation method, which includes: S101, selecting Si substrate; S102, etching the Si substrate forming TSV and forming a TSV zone after filling; S103, the etching Si substrate forms at least one isolation groove between the TSV regions, and forms a isolation zone after filling; S104, S104, A diode is prepared on the isolation area; S105, a interconnect between the first end face of the TSV region and the diode is formed; a S106, a metal bump on the second end of the TSV region is prepared to complete the preparation of the TSV splice board. The TSV transfer board provided by the invention solves the problem of weak antistatic ability of the integrated circuit system level package based on the TSV technology by machining diodes on the TSV switch board, and enhances the antistatic ability of the integrated circuit system level package.

【技术实现步骤摘要】
用于系统级封装的TSV转接板及其制备方法
本专利技术属半导体集成电路
，特别涉及一种用于系统级封装的TSV转接板及其制备方法。
技术介绍
随着微电子技术的不断进步，仅依靠在单一芯片上集成更多的器件来提高芯片的性能已经无法满足实际的需求。因此，叠置芯片封装技术逐渐成为技术发展的主流。叠置芯片封装技术是在不改变封装体尺寸的前提下，在同一个封装体内的垂直方向叠置多个芯片的封装技术。其中，硅通孔(Through-SiliconVia，简称TSV)转接板是实现上下芯片互连的连接板，其不仅可以减小互连线的长度，而且可以降低电路的功耗。在半导体行业里面，随着集成电路集成度的提高以及器件特征尺寸的减小，集成电路中静电放电(Electro-StaticDischarge，简称ESD)引起的潜在性损坏已经变得越来越明显。据有关报道，集成电路领域的故障中有近35％的故障是由ESD所引发的，因此芯片内部都设计有ESD保护结构来提高器件的可靠性。转接板通常是指芯片与封装基板之间的互连和引脚再分布的功能层。转接板可以将密集的I/O引线进行再分布，实现多芯片的高密度互连，成为纳米级集成电路与毫米级宏观世界之本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于系统级封装的TSV转接板的制备方法，其特征在于，包括：S101、选取Si衬底；S102、刻蚀所述Si衬底形成TSV，填充后形成TSV区；S103、刻蚀所述Si衬底在所述TSV区之间形成至少一个隔离沟槽，填充后形成隔离区；S104、在所述隔离区上制备二极管；S105、在所述TSV区的第一端面与所述二极管之间形成互连线；S106、在所述TSV区的第二端面制备金属凸点以完成所述TSV转接板的制备。

【技术特征摘要】
1.一种用于系统级封装的TSV转接板的制备方法，其特征在于，包括：S101、选取Si衬底；S102、刻蚀所述Si衬底形成TSV，填充后形成TSV区；S103、刻蚀所述Si衬底在所述TSV区之间形成至少一个隔离沟槽，填充后形成隔离区；S104、在所述隔离区上制备二极管；S105、在所述TSV区的第一端面与所述二极管之间形成互连线；S106、在所述TSV区的第二端面制备金属凸点以完成所述TSV转接板的制备。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S102包括：S1021、利用光刻工艺，在所述Si衬底的上表面形成所述TSV的刻蚀图形；S1022、利用DRIE工艺，刻蚀所述Si衬底形成所述TSV；S1023、热氧化所述TSV在所述TSV的内壁形成氧化层；S1024、利用湿法刻蚀工艺，刻蚀所述氧化层以完成所述TSV的平整化；S1025、利用光刻工艺形成所述TSV的填充图形；S1026、利用CVD工艺，在所述TSV内填充多晶硅，并通入掺杂气体进行原位掺杂形成所述TSV区。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S103包括：S1031、利用CVD工艺，在Si衬底上淀积钝化层；S1032、利用光刻工艺在所述TSV区之间形成隔离沟槽的填充图形；S1033、利用干法刻蚀工艺形成隔离沟槽；S1034、利用CVD工艺，淀积SiO2对隔离沟槽进行填充，形成隔离区；其中，所述隔离区的深度小于所述TSV的深度。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S104包括：S1041、在所述隔离区上制备二极管器件沟槽；S...

【专利技术属性】
技术研发人员：张捷，
申请(专利权)人：西安科锐盛创新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61