半导体组件制造技术

一种半导体组件，包含:在半导体晶圆的主动面上具有多个焊垫、第一保护层覆盖半导体晶圆的部份主动面，且将每一个焊垫的表面曝露出来、第一凸块下金属设置在部份第一保护层上及覆盖每一个焊垫的表面、重配置层设置在第一凸块下金属层上、第二凸块下金属层设置在部份重配置层上，且将重配置层的部份表面曝露出来、第二保护层设置在半导体晶圆、第二凸块下金属层及重配置层所曝露出的部份表面上及金属导线设置在除了焊垫以外的第二凸块下金属层所曝露出的部份表面上，藉由重配置层的线宽可支撑第二凸块下金属层以增加半导体组件的可靠度。

【技术实现步骤摘要】
半导体组件
本技术提供一种半导体组件，更特别地是有关于一种具有良好间距及线宽的重配置层的半导体组件及其形成方法。
技术介绍
随着半导体制程技术之进步，以及芯片电路功能的不断提升，伴随着通讯、网络及计算机等各式可携式(portable)产品的大幅成长以及市场需求，因此可缩小集成电路(IC)面积且具有高密度与所接脚化特性的球栅数组式(BGA)、覆晶式(Flipchip)与芯片尺寸封装(CSP,chipsizepackage)等半导体封装技术为目前众所皆知的主流技术。然而，由于集成电路制程日趋朝向微型化，并且强调传输速率及结构的可靠度，在发展至晶圆级芯片尺寸封装的潮流下，芯片接点之间距(pitch)势必将小于焊锡凸块的尺寸，导致相邻的焊块之间彼此接触的问题。虽然在后续发展出了重配置层(RDL,redistributionlayer)来克服上述的问题。利用重配置层形成导通线路，并重新配置至适当的位置在形成凸块下金属层(UBM,underbumpmetallization)，使得在相邻的焊锡凸块之间具有适当的间距。然而，现有技术中用来作为导通线路的重配置层为铜/镍/金(Cu/Ni/Au)结构，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体组件，其特征在于，包含:半导体晶圆，所述半导体晶圆上的主动面上具有多个焊垫；第一保护层，覆盖所述半导体晶圆的部份所述主动面，且曝露出每一所述焊垫的表面；第一凸块下金属层，设置在部份所述第一保护层上及覆盖每一所述焊垫的所述表面；重配置层，设置在所述第一凸块下金属层上；第二凸块下金属层，设置在部份所述重配置层上且曝露出所述重配置层的部份所述表面；第二保护层，设置在所述半导体晶圆的部份所述表面、所述第二凸块下金属层的部份所述表面及所述重配置层所曝露出的部份所述表面上；以及多条金属导线，设置在除了所述焊垫以外的所述第二凸块下金属层所曝露出的部份所述表面上，藉此所述金属导线透过所述第二凸块下金...

【技术特征摘要】
1.一种半导体组件，其特征在于，包含:半导体晶圆，所述半导体晶圆上的主动面上具有多个焊垫；第一保护层，覆盖所述半导体晶圆的部份所述主动面，且曝露出每一所述焊垫的表面；第一凸块下金属层，设置在部份所述第一保护层上及覆盖每一所述焊垫的所述表面；重配置层，设置在所述第一凸块下金属层上；第二凸块下金属层，设置在部份所述重配置层上且曝露出所述重配置层的部份所述表面；第二保护层，设置在所述半导体晶圆的部份所述表面、所述第二凸块下金属层的部份所述表面及所述重配置层所曝露出的部份所述表面上；以及多条金属导线，设置在除了所述焊垫以外的所述第二凸块下金属层所曝露出的部份所述表面上，藉此所述金属导线透过所述第二凸块下金属层、所述重配置层及所述第一凸块下金属层与...

【专利技术属性】
技术研发人员：林立人，李泰源，戴国瑞，林健财，
申请(专利权)人：瑞峰半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾,71