图案化形成一半导体结构特征的方法技术

本公开提供一种图案化形成一半导体结构特征的方法，此方法包括一掩模层形成于一目标层之上。一合并切割特征形成于此掩模层之上。一第一芯轴层形成于此掩模层和合并切割特征之上。此第一芯轴层进行图案化以形成第一开口于其中。第一侧壁子形成于此第一开口的侧壁。第一开口中填入一介电材料以形成栓塞。此第一芯轴层进行图案化以除去插在相邻第一侧壁子间的第一芯轴层部分。使用此第一侧壁子及栓塞作为一共同蚀刻掩模，将此合并切割特征进行图案化。除去此栓塞。使用此第一侧壁子作为蚀刻掩模，将此掩模层进行图案化。然后使用此掩模层及合并切割特征作为一共同蚀刻掩模，将此目标层进行图案化以形成第二开口于其中。

【技术实现步骤摘要】
图案化形成一半导体结构特征的方法
本公开涉及集成电路制造
，特别是涉及一种图案化形成一半导体结构特征的方法。
技术介绍
当半导体元件不断的微缩时，例如是光刻等许多工艺技术被改变以允许制造出具有更小尺寸的元件。然而，当半导体工艺需要更小的工艺窗口，这些元件的工艺已经逼近或甚至超越光刻设备的理论极限了。当半导体元件持续地微缩，在一元件中元素之间所需的空间(例如间距)是小于使用传统的光学光掩模和光刻设备所可以产生的间距了。
技术实现思路
根据一实施例，一种图案化形成一半导体结构特征的方法包括形成一掩模层于一目标层之上。一合并切割特征形成于此掩模层之上。一第一芯轴层形成于此掩模层和合并切割特征之上。此第一芯轴层进行图案化以形成第一开口于其中。第一侧壁子形成于此第一开口的侧壁。第一开口中填入一介电材料以形成栓塞。此第一芯轴层进行图案化以除去插在相邻第一侧壁子间的第一芯轴层部分。使用此第一侧壁子及栓塞作为一共同蚀刻掩模，将此合并切割特征进行图案化。除去此栓塞。使用此第一侧壁子作为蚀刻掩模，将此掩模层进行图案化。然后使用此掩模层及合并切割特征作为一共同蚀刻掩模，将此目标层进行图案化以形成第二开口本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图案化形成一半导体结构特征的方法，包括：形成一掩模层于一目标层之上；形成一合并切割特征于所述掩模层之上；形成一第一芯轴层于所述掩模层和所述合并切割特征之上；图案化所述第一芯轴层以形成多个第一开口于其中，所述多个第一开口至少一者包括一第一部分、一第二部分、及一与所述第二部分连接的第三部分、所述第一部分的一长轴与所述第二部分的一长轴平行；形成第一侧壁子于所述多个第一开口的侧壁；填入介电材料于所述多个第一开口中以形成栓塞；图案化所述第一芯轴层以除去插在相邻所述第一侧壁子间的所述第一芯轴层的部分；使用所述第一侧壁子及栓塞作为一共同蚀刻掩模，图案化所述合并切割特征；除去所述栓塞；使用所述第一侧壁子作...

【技术特征摘要】
2016.10.18 US 15/296,6201.一种图案化形成一半导体结构特征的方法，包括：形成一掩模层于一目标层之上；形成一合并切割特征于所述掩模层之上；形成一第一芯轴层于所述掩模层和所述合并切割特征之上；图案化所述第一芯轴层以形成多个第一开口于其中，所述多个第一开口至少一者包括一第一部分、一第二部分、及一与所述第二部分连接的第三部分、所述第一部分的一长轴...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄彦智，陈育裕，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71