调整用于制造半导体器件的标线图案的特征尺寸的方法技术

公开了一种调整用于制造半导体器件的标线图案的特征尺寸的方法，所述方法可以包括：确定标线的图像中的多个标线图案的第一特征尺寸的对应值，并且向包括在多个标线图案中的第一标线图案提供大气等离子体，第一标线图案具有与特征尺寸的目标值不同的特征尺寸的第一值。可以不向包括在多个标线图案中的第二标线图案提供大气等离子体，第二标线图案具有约等于目标值的特征尺寸的第二值。

A method of adjusting the characteristic dimensions of the marking pattern used in the manufacture of semiconductor devices

The method discloses a feature size adjustment for manufacturing a semiconductor device marking pattern, the method may include determining a plurality of feature size corresponding to the first line pattern marking in the image of the value, and to provide air plasma is included in the plurality of marking patterns in the first line pattern, the first pattern has markings the first eigenvalue of different sizes and the feature size of the target value. Air plasma can not be provided to the second marking pattern contained in multiple marking patterns, and the second marking pattern has second values of the characteristic size approximately equal to the target value.

【技术实现步骤摘要】
调整用于制造半导体器件的标线图案的特征尺寸的方法本申请要求于2016年9月20日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0120308号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
本公开涉及制造校正其特征尺寸的标线。
技术介绍
通常，制造半导体器件的工艺可以包括多个单元工艺，所述单元工艺包括薄膜沉积工艺、光刻工艺和蚀刻工艺。光刻工艺可以包括使用曝光系统来执行的曝光工艺。曝光系统可以包括标线(reticle)，可以在标线中设置金属标线图案。
技术实现思路
根据专利技术构思的实施例可以提供被构造为对用于制造半导体器件的标线图案的特征尺寸进行调整的方法、系统和计算机程序产品。在根据专利技术构思的一些实施例中，调整用于制造半导体器件的标线中的标线图案的特征尺寸的方法可以包括：确定标线的图像中的多个标线图案的第一特征尺寸的对应值，并且向包括在多个标线图案中的第一标线图案提供大气等离子体，所述第一标线图案具有与特征尺寸的目标值不同的特征尺寸的第一值。可以不向包括在多个标线图案中的第二标线图案提供大气等离子体，所述第二标线图案具有约等于目标值的特征尺寸的第二值。在根据专利技术构思本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种校正标线图案的特征尺寸的方法，所述方法包括：获得包括在图像中的标线图案的第一特征尺寸；以及向具有第一特征尺寸的标线图案局部地提供等离子体以将第一特征尺寸中的至少一个改变为第二特征尺寸。

【技术特征摘要】
2016.09.20 KR 10-2016-01203081.一种校正标线图案的特征尺寸的方法，所述方法包括：获得包括在图像中的标线图案的第一特征尺寸；以及向具有第一特征尺寸的标线图案局部地提供等离子体以将第一特征尺寸中的至少一个改变为第二特征尺寸。2.如权利要求1所述的方法，其中，获得第一特征尺寸的步骤包括：检测第一特征尺寸；以及确定第一特征尺寸的平均值，其中，所述方法还包括：将平均值与对应于第二特征尺寸的目标值进行比较。3.如权利要求2所述的方法，其中，获得第一特征尺寸的步骤还包括：获得第一特征尺寸的检测图，其中，所述方法还包括：获得包含目标值与检测图中的第一特征尺寸之间的差值的校正图。4.如权利要求3所述的方法，其中，提供等离子体的步骤包括：当平均值大于目标值时，基于校正图在标线图案上形成薄层。5.如权利要求4所述的方法，其中，薄层包括氧化硅层，第二特征尺寸中的每个与形成在标线图案的相对侧壁上的氧化硅层的面对的表面之间的距离对应。6.如权利要求3所述的方法，其中，局部地提供等离子体的步骤包括：当平均值小于目标值时，基于校正图来蚀刻标线图案，以提供已蚀刻的标线图案，第二特征尺寸中的每个与已蚀刻的标线图案之间的距离对应。7.如权利要求2所述的方法，其中，获得第一特征尺寸的步骤还包括计算第一特征尺寸的离差值，所述方法还包括基于离差值来确定是否校正第一特征尺寸。8.如权利要求7所述的方法，其中，使用3-sigma方法计算离差值，确定是否校正第一特征尺寸的步骤包括确定离差值是否小于3。9.如权利要求1所述的方法，其中，等离子体包括大气压等离子体或远程等离子体。10.如权利要求1所述的方法，其中，第一特征尺寸中的每个包括与标线图案之间的距离对应的明场特征尺寸。11.一种制造标线的方法，所述方法包括：在基底上形成金属层；在金属层上形成掩模图案；将掩模图案用作蚀刻掩模来蚀刻金属层以在基底上形成标线图案；获得标线图案的图像；获得图像中的标线图案的第一特征尺寸；以及向具有第一特征尺寸的标线图案局部地提供等离子体以将第一特征尺寸中的至少一个改变为第二特征尺寸。12.如权利要求11所述的方法，其中，根据参考图来形成掩模图案，其中，获得第一特征尺寸的步骤包括：检测第一特征尺寸；获得第一特征尺寸的检测图，检测图与参考图不同；以及确定第一特征尺寸的平均值。13.如权利要求12所述的方法，所述方法还包括：获得包含第二特征尺寸与检测图中的第一特...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑镛席，权星元，金熙范，李东根，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR