利用侧边溅射的线边缘粗糙表面改进制造技术

本发明专利技术涉及利用侧边溅射的线边缘粗糙表面改进。提供了一种用于在处理室中在具有侧壁粗糙表面的第一掩模下面的蚀刻层中减少侧壁粗糙表面的方法。使第一掩模的侧壁平滑，其包括：使处理气体流入所述处理室中；以及使所述处理气体在所述处理室中形成为具有足以溅射图案化的所述第一掩模的侧壁粗糙表面并使该侧壁粗糙表面平滑的能量的原位等离子体。穿过图案化的所述第一掩模蚀刻所述蚀刻层。

【技术实现步骤摘要】
利用侧边溅射的线边缘粗糙表面改进
本公开涉及在半导体晶片上形成半导体器件的方法。更具体地，本公开涉及在半导体器件的形成中蚀刻介电层。在形成半导体器件中，蚀刻层可以被蚀刻。
技术介绍
在半导体器件的制造中，仍然存在着改进的需要。
技术实现思路
为了实现上述意图以及根据本公开的目的，提供了一种用于在处理室中在具有侧壁粗糙表面的第一掩模下面的蚀刻层中减少侧壁粗糙表面(roughness)的方法。使第一掩模的侧壁平滑，其包括：使处理气体流入所述处理室中；以及使所述处理气体在所述处理室中形成为具有足以溅射图案化的第一掩模的侧壁粗糙表面并使图案化的所述第一掩模的侧壁粗糙表面平滑的能量的原位等离子体。穿过图案化的所述第一掩模蚀刻所述蚀刻层。具体而言，本专利技术的一些方面可以阐述如下：1.一种用于在处理室中在具有侧壁粗糙表面的第一掩模下面的蚀刻层中减少侧壁粗糙表面的方法，其包括：使第一掩模的侧壁平滑，其包括：使处理气体流入所述处理室中；以及使所述处理气体在所述处理室中形成为具有足以溅射图案化的所述第一掩模的侧壁粗糙表面并使图案化的所述第一掩模的侧壁粗糙表面平滑的能量的原位等离子体；并且穿过图案化的所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在处理室中在具有侧壁粗糙表面的第一掩模下面的蚀刻层中减少侧壁粗糙表面的方法，其包括：使第一掩模的侧壁平滑，其包括：使处理气体流入所述处理室中；以及使所述处理气体在所述处理室中形成为具有足以溅射图案化的所述第一掩模的侧壁粗糙表面并使图案化的所述第一掩模的侧壁粗糙表面平滑的能量的原位等离子体；并且穿过图案化的所述第一掩模蚀刻所述蚀刻层。

【技术特征摘要】
2016.08.24 US 15/246,2391.一种用于在处理室中在具有侧壁粗糙表面的第一掩模下面的蚀刻层中减少侧壁粗糙表面的方法，其包括：使第一掩模的侧壁平滑，其包括：使处理气体流入所述处理室中；以及使所述处理气体在所述处理室中形成为具有足以溅射图案化的所述第一掩模的侧壁粗糙表面并使图案化的所述第一掩模的侧壁粗糙表面平滑的能量的原位等离子体；并且穿过图案化的所述第一掩模蚀刻所述蚀刻层。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述使侧壁平滑还包括提供大于80毫托的室压强。3.根据权利要求2所述的方法，其中第二掩模在所述第一掩模之上，其还包括将图案从所述第二掩模转印到所述第一掩模，从而在所述第一掩模中形成侧壁粗...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭忠魁，向华，张依婷，傅乾，许青，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国,US