一种去除栅极多晶硅上二氧化硅硬掩膜层的方法技术

本发明专利技术发明专利技术一种去除栅极多晶硅上二氧化硅硬掩膜的方法，应用于半导体的刻蚀工艺中，其中，于一硅衬底上形成多个多晶硅栅极结构，至少一个所述多晶硅栅极结构表面覆盖有一二氧化硅硬掩膜层，所述多晶硅栅极结构自下而上依次包括栅极氧化层和多晶硅层，还包括以下步骤：在所述二氧化硅硬掩膜层和硅衬底表面形成一BARC(Bottom Anti‑Reflective Coating，底部抗反射层)制成的防护涂层；对所述防护涂层进行刻蚀，暴露所述二氧化硅硬掩膜层；去除所述二氧化硅硬掩膜层；去除所述防护涂层。有益效果：通过本方法，可以在去除多晶硅顶部二氧化硅硬掩膜的同时，完好保留多晶硅底部的栅氧化膜。

【技术实现步骤摘要】
一种去除栅极多晶硅上二氧化硅硬掩膜层的方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种去除栅极多晶硅上二氧化硅硬掩膜层的方法。
技术介绍
当二氧化硅作为多晶硅硬掩膜时，用于去除二氧化硅硬掩膜的氢氟酸会腐蚀多晶硅底部的栅氧化膜。所以业界若使用到二氧化硅作为多晶硅硬掩膜时，通常采用较薄的二氧化硅薄膜，在之后的工艺中一直保留这层薄膜的方式，这层薄膜的保留会对后续的工艺造成一定的限制。另一种方法是用氮化硅薄膜来作为多晶硅的硬掩膜，然后用磷酸去除氮化硅薄膜。使用氮化硅薄膜也会有一定的限制，当多晶硅下也有氮化硅薄膜时，就无法使用磷酸去除氮化硅硬掩膜，因为磷酸同样会腐蚀多晶硅下的氮化硅薄膜。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术提出一种去除栅极多晶硅上二氧化硅硬掩膜的方法，应用于半导体的刻蚀工艺中，其中，于一硅衬底上形成至少一个多晶硅栅极结构，至少一个所述多晶硅栅极结构表面覆盖有一二氧化硅硬掩膜层，所述多晶硅栅极结构自下而上依次包括栅极氧化层和多晶硅层，还包括以下步骤：步骤S1、在所述二氧化硅硬掩膜层和硅衬底表面形成一防护涂层；步骤S2、对所述防护涂层进行刻蚀，暴露所述二氧化硅硬掩膜层；步骤S3、去本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种去除栅极多晶硅上二氧化硅硬掩膜的方法，应用于半导体的刻蚀工艺中，其特征在于，于一硅衬底上形成至少一个多晶硅栅极结构，至少一个所述多晶硅栅极结构表面覆盖有一二氧化硅硬掩膜层，所述多晶硅栅极结构自下而上依次包括栅极氧化层和多晶硅层，还包括以下步骤：步骤S1、在所述二氧化硅硬掩膜层和硅衬底表面形成一防护涂层；步骤S2、对所述防护涂层进行刻蚀，暴露所述二氧化硅硬掩膜层；步骤S3、去除所述二氧化硅硬掩膜层；步骤S4、去除所述防护涂层。

【技术特征摘要】
1.一种去除栅极多晶硅上二氧化硅硬掩膜的方法，应用于半导体的刻蚀工艺中，其特征在于，于一硅衬底上形成至少一个多晶硅栅极结构，至少一个所述多晶硅栅极结构表面覆盖有一二氧化硅硬掩膜层，所述多晶硅栅极结构自下而上依次包括栅极氧化层和多晶硅层，还包括以下步骤：步骤S1、在所述二氧化硅硬掩膜层和硅衬底表面形成一防护涂层；步骤S2、对所述防护涂层进行刻蚀，暴露所述二氧化硅硬掩膜层；步骤S3、去除所述二氧化硅硬掩膜层；步骤S4、去除所述防护涂层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述防护涂层所使用的材料为底部抗反射层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：李浩业，彭宇飞，孙昌，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31