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本发明发明一种去除栅极多晶硅上二氧化硅硬掩膜的方法，应用于半导体的刻蚀工艺中，其中，于一硅衬底上形成多个多晶硅栅极结构，至少一个所述多晶硅栅极结构表面覆盖有一二氧化硅硬掩膜层，所述多晶硅栅极结构自下而上依次包括栅极氧化层和多晶硅层，还包括以...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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