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本公开提供一种图案化形成一半导体结构特征的方法，此方法包括一掩模层形成于一目标层之上。一合并切割特征形成于此掩模层之上。一第一芯轴层形成于此掩模层和合并切割特征之上。此第一芯轴层进行图案化以形成第一开口于其中。第一侧壁子形成于此第一开口的侧...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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