一种半导体功率器件制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体功率器件，包括：衬底；阱区；阱区接触层；发射极区；栅极氧化层；栅极保护层；接触电极；所述衬底的背面设有贯穿至缓冲层且间隔排列的沟槽，所述沟槽中填充有导电介质；集电极区，所述集电极区设置在所述缓冲层中且与所述沟槽的底面相对应。该半导体功率器件，通过在衬底的背面设置间隔排列沟槽，通过沟槽的总宽度来调整集电极区域的大小，从而控制集电极空穴的注入效率；另外该结构的该半导体功率器件能够在保证性能的基础上增加芯片厚度，不易导致碎片，增加了生产良率。

A semiconductor power device

【技术实现步骤摘要】
一种半导体功率器件
本技术涉及半导体
，具体的，涉及一种半导体功率器件。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor——IGBT）结合了MOSFET和BJT的优势，具有开关速度快、驱动电路简单、低导通损耗等优点，广泛应用于工业、汽车电子、电力系统、家电等领域。其中，对于FS-IGBT来说，为了得到比较好的正向导通压降与开关损耗的折中关系，一般FS-IGBT均需做到很薄的厚度，太薄的厚度在生产放置和运输过程容易引发碎片，翘曲等问题，并且给物流运输增加了很大的困难。另外，现有FS-IGBT在背面作集电极时需进行离子注入，不易控制空穴注入效率，容易导致较薄的晶片碎片，而且在背面蒸镀金属层作接触电极也容易导致碎片。
技术实现思路
本技术为解决上述技术问题之一，提供一种半导体功率器件，该半导体功率器件能够在保证性能的基础上增加芯片厚度，不易导致碎片，增加了生产良率。本技术提供一种半导体功率器件，包括：衬底；位于衬底之上依次设置的缓冲层和漂移区；阱区，所述阱区位于所述漂移区中，且靠近漂移区上表面设置；阱区接触层，所述阱区接触层位于所述阱区中，且靠近漂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体功率器件，其特征在于，包括：衬底；位于衬底之上依次设置的缓冲层和漂移区；阱区，所述阱区位于所述漂移区中，且靠近漂移区上表面设置；阱区接触层，所述阱区接触层位于所述阱区中，且靠近漂移区上表面设置；发射极区，所述发射极区位于所述阱区和阱区接触层中，且靠近漂移区上表面设置；栅极氧化层，所述栅极氧化层位于所述漂移区的上表面；栅极，所述栅极位于所述栅极氧化层的上表面；栅极保护层，所述栅极保护层位于所述栅极的上表面，及覆盖栅极氧化层和栅极的侧面；接触电极，所述接触电极位于所述栅极氧化层的上表面，且与发射极区和阱区接触层相连；所述衬底的背面设有贯穿至缓冲层且间隔排列的沟槽，所述沟槽中填充有导电介质...

【技术特征摘要】
1.一种半导体功率器件，其特征在于，包括：衬底；位于衬底之上依次设置的缓冲层和漂移区；阱区，所述阱区位于所述漂移区中，且靠近漂移区上表面设置；阱区接触层，所述阱区接触层位于所述阱区中，且靠近漂移区上表面设置；发射极区，所述发射极区位于所述阱区和阱区接触层中，且靠近漂移区上表面设置；栅极氧化层，所述栅极氧化层位于所述漂移区的上表面；栅极，所述栅极位于所述栅极氧化层的上表面；栅极保护层，所述栅极保护层位于所述栅极的上表面，及覆盖栅极氧化层和栅极的侧面；接触电极，所述接触电极位于所述栅极氧化层的上表面，且与发射极区和阱区接触层相连；所述衬底的背面设有贯穿至缓冲层且间隔排列的沟槽，所述沟槽中填充有导电介质；集电极区，所述集电极区设置在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱辉，肖秀光，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，深圳比亚迪微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44