深圳比亚迪微电子有限公司专利技术

深圳比亚迪微电子有限公司共有32项专利

  • 本发明涉及一种可变位宽的位操作控制系统及方法,其特征在于:包括第一控制寄存器、第二控制寄存器、第三控制寄存器、位读写控制电路、或操作电路及与操作电路;其中第一控制寄存器为位操作写1控制寄存器;第二控制寄存器为位操作写0控制寄存器;第三控...
  • 本发明公开了一种功率模块用于功率模块的外框功率模块、功率模块,外壳包括电极件,电极件包括外框安装部和功率芯片安装部,外框安装部一体形成有螺母安装部,螺母安装部内设有螺纹孔,功率芯片安装部适于与功率模块的电极控制器连接。根据本发明的电极件...
  • 本实用新型涉及一种红外灯控制电路、摄像头及车辆,该电路包括:光控开关电路,推动电路,红外灯开关电路以及红外灯,该光控开关电路与该推动电路连接,该推动电路通过该红外灯开关电路与该红外灯连接;在该光控开关电路截止时,该推动电路输出电流信号,...
  • 本公开涉及一种传感器,包括壳体、压力传感元件、温度传感元件以及集成电路,压力传感元件和温度传感元件分别容纳于壳体中;壳体的一端具有供流体通入的开口部,且壳体内部形成有液流通道,以将流体自开口部引导至压力传感元件的表面;温度传感元件位于液...
  • 本发明提供了半导体功率器件。该半导体功率器件包括衬底、外延层、阱区、栅极和JFET区,所述阱区包括:多个第一阱区,多个所述第一阱区间隔分布,且每个所述第一阱区在所述衬底上的正投影为圆形;第二阱区,每个所述第一阱区与所述第二阱区之间具有间...
  • 本发明公开了MOS场效应晶体管及制备的方法、电子设备。该方法包括:提供半导体衬底,半导体衬底上设置有碳化硅外延层,对半导体衬底的碳化硅外延层一侧进行掺杂,以形成阱区,并在所述阱区中形成源极区;在所述外延层远离所述半导体衬底一侧形成氧化层...
  • 本申请提供了一种结势垒肖特基二极管结构,包括:设置于阴极背面金属层上的N型碳化硅衬底层;位于所述N型碳化硅衬底层上的N型碳化硅外延层;内嵌在所述N型碳化硅外延层上表面的多个P型扩散区域;覆盖在所述N型碳化硅外延层上且避开所述P型扩散区域...
  • 本公开涉及一种车窗升降控制装置、系统和车辆,能够在车辆断电后自动控制车窗升降,而且设计和维修成本低。一种车窗升降控制装置,包括备用电源供电通路和开关控制电路,其中:备用电源供电通路连接在车窗升降控制装置的输出端口与备用电源输入端口之间,...
  • 本公开涉及一种光刻胶供应装置,包括用于存储光刻胶的供应容器(1),所述供应容器(1)连接有用于将光刻胶导入涂胶槽的供胶管路(3),所述供应容器(1)还连接有用于通入供压气体的进气管路(2),以使所述供压气体能够将所述光刻胶压出所述供应容...
  • 本实用新型提供一种接地装置,用于电流传感器,包括:连接片和线路板,所述连接片具有第一连接端和第二连接端,所述第一连接端与电流传感器的磁芯接触,所述第二连接端与线路板的接地端接触。通过上述方式,连接片一端接触磁芯,另一端接触线路板的方式实...
  • 本实用新型提供一种充气装置,用于减轻车身重量,包括:气体发生装置、气囊、框架和盖板,所述气囊设置在框架中,所述气体发生装置设置在框架前方,所述前方指车辆前进的方向,所述气体发生装置与气囊相连,所述气体发生装置产生密度小于空气的气体,所述...
  • 本发明公开了沟槽型MOS场效应晶体管及方法、电子设备。该场效应晶体管包括:第一电极金属层、半导体衬底层以及外延层,多个沟槽位于所述外延层远离所述半导体衬底层一侧的表面上,沟槽中设置有栅绝缘层以及栅极;阱区,所述阱区位于相邻的两个所述沟槽...
  • 本发明公开了沟槽型MOS场效应晶体管及方法、电子设备。该场效应晶体管包括第一电极金属层、半导体衬底层以及外延层,阱区以及接触区;沟槽,所述沟槽的底部具有保护区,且所述沟槽的一侧壁处具有延伸至所述沟槽底部的第二保护区,所述第二保护区和所述...
  • 本发明公开了场效应晶体管及制备方法、电子设备。该场效应晶体管包括:SiC衬底;SiC衬底上的SiC外延层,具有第一掺杂类型,SiC外延层的表面内设置有多个体区组,每个体区组包括两个体区,体区中设置有源区和接触区;SiC外延层上的第二类型...
  • 本实用新型属于汽车电控技术领域,涉及一种固定压紧装置、电控箱及车辆,该固定压紧装置包括压紧推板、压紧单元及后固定板,所述压紧单元包括弹簧及限位钉,所述压紧推板上设置有T型限位孔,所述T型限位孔包括第一孔段及第二孔段,所述第一孔段的内径大...
  • 本实用新型公开了一种灯具及其控制装置,其中,装置包括:光源;光传感器,用于采集光源的亮度,生成亮度采集值;数据处理器,数据处理器用于根据亮度采集值、光传感器的位置和光源的位置,生成光源的亮度实际值,并将亮度实际值与光源的亮度理论值进行比...
  • 本公开涉及一种电容式触摸按键和触摸按键控制系统,所述电容式触摸按键(10)为具有多段折弯的插针结构,该插针结构至少包括用于与PCB板(20)上触摸芯片相连接的插脚(11),用于与触摸面板相抵接的触摸段(12),以及连接所述插脚(11)和...
  • 本发明公开了场效应晶体管及制备方法、电子设备。该场效应晶体管包括:依次层叠设置的SiC衬底、SiC外延层以及栅氧结构,其中,所述栅氧结构包括依次层叠设置的过渡层、阻挡层以及氧化层,所述过渡层设置在所述SiC外延层远离所述SiC衬底的一侧...
  • 本实用新型公开了一种计数器电路及像素数据转换电路。其中,计数器电路,包括:计数芯片,计数芯片具有比较器输出结果接收端和同或门输入控制端;开关组件,开关组件包括第一开关和第二开关,第一开关和第二开关的一端均与输出端相连;同或门,同或门的第...
  • 本发明提供一种具有制动开关的制动深度检测装置,包括:外壳、连接杆、磁芯组件、传感器组件和用于控制制动灯的制动开关,所述磁芯组件、传感器组件和制动开关设置在外壳内,所述磁芯组件可旋转地固定在外壳上,所述连接杆的一端与磁芯组件的一端连接,所...