一种反向导通型IGBT制造技术
A reverse conduction type IGBT
A reverse conduction type IGBT belongs to the field of semiconductor manufacturing technology. Including the drift region on the surface side by side in the drift region is provided with a plurality of MOS structure, which is characterized in that: the interval in the drift region is provided with a heavily doped region of semiconductor and the drift region of the same type, between adjacent two heavily doped regions are arranged in the drift region and the drift region of a semiconductor type under the same buffer a semiconductor epitaxial layer, and the drift region opposite arranged below the buffer. In the reverse conduction type IGBT, by setting a heavily doped region spaced in drift region below, and set the buffer and the epitaxial layer between adjacent two heavily doped regions, when the access can be achieved when the reverse voltage conduction, achieve the reverse of the external circuit freewheeling or return function.
【技术实现步骤摘要】
一种反向导通型IGBT
一种反向导通型IGBT，属于半导体制造
技术介绍
常规的MOS管的结构如图14所示，其中在顶层金属层1处引出源极，在底层金属层11处引出漏极，在正常使用时，源极连接外接电源负极，漏极连接外接电源正极，此时由于P型基区4与N型漂移区5之间形成的PN结反向截止，所以在MOS管内部不会存在电流流动。当在栅极2和源极之间施加一个大于MOS管开启电压的正向电压时，MOS管导通。当MOS管反接时，即源极连接外接电源正极，漏极连接外接电源负极，此时P型基区4与N型漂移区5之间形成的PN结正向导通，所以MOS管具备反向导通的特性，利用该特性可以实现外部电路的反向续流或回流的功能。常规的IGBT的结构如图15所示，由于在N型漂移区5的底部还设置有P型衬底13，因此N型漂移区5与P型衬底13之间形成PN结，当常规的IGBT反接时，虽然P型基区4与N型漂移区5之间形成的PN结正向导通，但是由于N型漂移区5与P型衬底13之间的PN结反向截止。因此常规的IGBT不具有反向导通的特性。在使用IGBT作为功率器件的场合，为实现外部电路的反向续流或回流的功能，常...
【技术保护点】
一种反向导通型IGBT，包括漂移区，在漂移区的上表面并排设置有若干MOS结构，其特征在于：在漂移区的下面间隔设置有若干与漂移区半导体类型相同的重掺杂区，在相邻两个重掺杂区之间设置有位于漂移区下方且漂移区半导体类型相同的缓冲区，在缓冲区的下方设置有半导体类型与漂移区相反的外延层。
【技术特征摘要】
1.一种反向导通型IGBT，包括漂移区，在漂移区的上表面并排设置有若干MOS结构，其特征在于：在漂移区的下面间隔设置有若干与漂移区半导体类型相同的重掺杂区，在相邻两个重掺杂区之间设置有位于漂移区下方且漂移区半导体类型相同的缓冲区，在缓冲区的下方设置有半导体类型与漂移区相反的外延层。2.根据权利要求1所述的反向导通型IGBT，其特征在于：所述的漂移区为N型漂移区（5），所述的缓冲区为N+型缓冲区（8）。3.根据权利要求2所述的反向导通型IGBT，其特征在于：外延层包括位于所述的N+型缓冲区（8）下方的P型外延层（9）以及位于P型外延层（9）下部...
【专利技术属性】
技术研发人员：关仕汉，薛涛，
申请(专利权)人：淄博汉林半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：山东,37
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