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一种反向导通型IGBT，属于半导体制造技术领域。包括漂移区，在漂移区的上表面并排设置有若干MOS结构，其特征在于：在漂移区的下面间隔设置有若干与漂移区半导体类型相同的重掺杂区，在相邻两个重掺杂区之间设置有位于漂移区下方且漂移区半导体类型相同...
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