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本实用新型提供一种半导体功率器件，包括：衬底；阱区；阱区接触层；发射极区；栅极氧化层；栅极保护层；接触电极；所述衬底的背面设有贯穿至缓冲层且间隔排列的沟槽，所述沟槽中填充有导电介质；集电极区，所述集电极区设置在所述缓冲层中且与所述沟槽的底面...该专利属于比亚迪股份有限公司;深圳比亚迪微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过比亚迪股份有限公司;深圳比亚迪微电子有限公司授权不得商用。