一种DFN封装制造技术

本实用新型专利技术公开了一种DFN封装，包括芯片，芯片连接有将其包裹的绝缘胶层，所述芯片一侧连接有散热片，所述散热片的一侧与外部环境接触，所述散热片靠近芯片的一面上固定连接有四个由导热材料制成的包裹槽，所述包裹槽将芯片的四角包裹，本实用新型专利技术具有散热片靠近芯片的一面上连接有四个具有良好导热性能的包裹槽将芯片的四角包裹，能够将芯片与散热片更加牢固的连接，使得两者不容易分离，因为包裹槽具有散热的性能，因此其能够将芯片工作时产生的热量导向散热片，从而将芯片上的热量更加高效的传导至散热片，增强散热性能，并且设置包裹槽将芯片的四个角包裹，并且在包裹槽的两侧设置散热片以及导热片能够将芯片包围，增强对芯片的保护的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种DFN封装
本技术涉及电子封装领域，更具体地说它涉及一种DFN封装。
技术介绍
现阶段MOS管封装内阻相对较高，散热差。利用新型的超薄DFN封装结构可以大大降低内阻，散热性能得到大幅度提升，应用领域更为广泛。目前，现有技术中申请号为申请公布号为CN102842550A的中国专利文件公开了一种功率MOSFET芯片的DFN封装结构，其通过设置散热区然后在散热区与芯片之间设置软焊料层连接从而将芯片上热量导出散热。该现有技术主要通过与外界的环境接触进行散热，但是该现有技术的散热结构与外界接触的面积有限因此散热性能较为一般。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本技术的目的在于提供一种DFN封装，其优势在于能够元器件进行更有效的散热。为实现上述目的，本技术提供了如下技术方案：一种DFN封装，包括芯片，芯片连接有将其包裹的绝缘胶层，所述芯片一侧连接有散热片，所述散热片的一侧与外部环境接触，所述散热片靠近芯片的一面上固定连接有四个由导热材料制成的包裹槽，所述包裹槽将芯片的四角包裹。通过采用上述技术方案，散热片靠近芯片的一面上连接有四个具有良好导热性能的包裹槽将芯片的四角包裹，能够将芯片与散热片更加牢本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种DFN封装，包括芯片(1)，芯片(1)连接有将其包裹的绝缘胶层(2)，所述芯片(1)一侧连接有散热片(3)，所述散热片(3)的一侧与外部环境接触，其特征在于：所述散热片(3)靠近芯片(1)的一面上固定连接有四个由导热材料制成的包裹槽(5)，所述包裹槽(5)将芯片(1)的四角包裹。

【技术特征摘要】
1.一种DFN封装，包括芯片(1)，芯片(1)连接有将其包裹的绝缘胶层(2)，所述芯片(1)一侧连接有散热片(3)，所述散热片(3)的一侧与外部环境接触，其特征在于：所述散热片(3)靠近芯片(1)的一面上固定连接有四个由导热材料制成的包裹槽(5)，所述包裹槽(5)将芯片(1)的四角包裹。2.根据权利要求1所述的一种DFN封装，其特征在于：所述绝缘胶层(2)中设置有被绝缘胶层(2)完全包裹的导热片(8)，所述导热片(8)由导热材料制成并且与四个包裹槽(5)接触。3.根据权利要求2所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑石磊，刘卫卫，郑振军，
申请(专利权)人：浙江东和电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33